Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 11409
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 12769
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC3199, z obudową TO-92, jest bipolarnym tranzystorem NPN o niskiej mocy, przeznaczonym do zastosowań w układach przełączających oraz wzmacniaczy sygnału. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera (VCEO) wynoszącym 20V oraz maksymalnym prądem kolektora (IC) równym 500mA. Wartości te pozwalają na efektywną pracę w różnorodnych częściach elektronicznych. Jego aplikacje obejmują, między innymi, niskoszumowe preamplifikatory, układy buforowe, oraz inne obwody sygnałowe.
ID produktu: 12770
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC3229 PLASTIC, obudowa TO-220F, to element bipolarny NPN o wysokiej mocy przeznaczony do zastosowań w układach wzmacniających i przełączających. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 150V oraz prądem kolektora IC do 1A. Dedykowany dla szerokiego zakresu części elektronicznych, zapewnia stabilność termiczną i elektryczną w aplikacjach przemysłowych.
ID produktu: 12771
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC3402, w obudowie TO-92, jest bipolarnym tranzystorem NPN, przeznaczonym do zastosowań w układach wzmacniacza sygnału niskiej mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 120V oraz prądem kolektora IC o wartości 50mA. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych jest to komponent o znaczącej aplikatywności w precyzyjnych układach elektronicznych.
ID produktu: 12772
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC3807, zaprojektowany w obudowie TO-126, charakteryzuje się zdolnością do pracy w średnich częstotliwościach. Jako element półprzewodnikowy NPN, znajduje zastosowanie w różnych układach wzmacniających i przełączających. Parametry maksymalne obejmują napięcie kolektora-emitera VCEO równe 60V oraz prąd kolektora IC wynoszący 2A. W kontekście części elektronicznych, 2SC3807 wyróżnia się stabilnością termiczną oraz efektywnością w zakresie dysypacji mocy, co przekłada się na jego niezawodność w aplikacjach wymagających precyzyjnej kontroli prądu.
ID produktu: 12773
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC3853, opakowanie TO-3PN, jest elementem półprzewodnikowym NPN o wysokiej mocy, przeznaczonym do zastosowań w układach wzmacniacza mocy i przekształtników. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 160V, prądem kolektora IC do 15A oraz mocą strat PT do 130W. Wykorzystywany w szerokim spektrum aplikacji, od audio po przemysłowe, jest kluczowym komponentem w projektowaniu zaawansowanych części elektronicznych.
ID produktu: 12774
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2049, pakiet TO-220, charakteryzuje się niskim napięciem przebicia, wynoszącym 500V, oraz prądem drenu Id=2A. Urządzenie typu N-MOSFET, dedykowane jest dla aplikacji o wysokiej efektywności i minimalizacji strat mocy. Odpowiedni dla szerokiego zakresu części elektronicznych, w tym zasilaczy impulsowych i przetwornic DC/DC.
ID produktu: 12775
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2378, zaprojektowany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się niskim napięciem przebicia Vds oraz wysokim prądem Id. Jako element części elektronicznych, znajduje zastosowanie w układach przełączających i wzmacniających, oferując stabilną pracę w szerokim zakresie temperatur. Parametry elektryczne umożliwiają efektywne zarządzanie mocą w aplikacjach o wysokich wymaganiach.
ID produktu: 12776
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK3491, w obudowie SMD typu TO-252, charakteryzuje się napięciem dren-źródło Vds wynoszącym 600V oraz prądem drenu Id do 5A. Przeznaczony do zastosowań w przetwornicach mocy, urządzeniach zarządzających energią oraz w szerokim zakresie części elektronicznych. Posiada niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia, co przekłada się na efektywność energetyczną układów.
ID produktu: 12777
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK3530, z obudową TO-220F, to półprzewodnikowy element przełączający, charakteryzujący się niskim napięciem progowym i wysoką odpornością na prąd drenu. Przeznaczony dla aplikacji w układach zasilania, ten tranzystor MOSFET typu N zapewnia efektywną komutację. Wykorzystywany w szerokim zakresie części elektronicznych, od systemów audio po rozwiązania w elektrotechnice.