Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 13247
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 88N30W, wykonany w obudowie TO-247, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 300V oraz prądem drenu do 88A. Urządzenie to, dedykowane dla zaawansowanych aplikacji mocy, wykazuje niską rezystancję w stanie przewodzenia, co minimalizuje straty mocy. W kontekście części elektronicznych, tranzystor ten znajduje zastosowanie w przekształtnikach, zasilaczach impulsowych oraz innych systemach wymagających efektywnego przełączania.
ID produktu: 13248
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
ID produktu: 13249
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Tranzystor BUZ901P, zawarty w obudowie TO-247, charakteryzuje się wysoką mocą i efektywnością termiczną. Jego parametry, takie jak maksymalne napięcie dren-źródło, prąd drenu oraz moc strat, pozwalają na zastosowanie w zaawansowanych aplikacjach audio. Dedykowany dla wymagających układów wzmacniaczy mocy, BUZ901P znajduje swoje zastosowanie również w profesjonalnych częściach elektronicznych, wymagających stabilności i niezawodności w ciągu długotrwałej pracy.
ID produktu: 13250
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor FDC86244, w obudowie SMD typu SOT-23, wyposażony w 6 wyprowadzeń, charakteryzuje się niskim napięciem progowym oraz wysoką efektywnością przełączania. Jego parametry pozwalają na zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych, gdzie kluczowe jest precyzyjne sterowanie przepływem prądu. Dla specjalistów poszukujących specyficznych części elektronicznych, FDC86244 stanowi optymalny wybór do aplikacji wymagających kompaktowych rozmiarów przy zachowaniu wysokiej niezawodności działania.
ID produktu: 13251
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor FQT1N60C, realizowany w obudowie SMD typu SOT-223, charakteryzuje się napięciem przebicia dren-źródło VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID równym 1A. Jego minimalna wartość rezystancji kanału RDS(on) nie przekracza 5?. Urządzenie to, będące elementem z kategorii części elektronicznych, znajduje zastosowanie głównie w przekształtnikach napięcia oraz układach sterowania.
ID produktu: 13253
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFR1205, realizowany w obudowie SMD typu TO-252, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 55V oraz prądem drenu ID na poziomie 44A. Jego niska rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on), maksymalizuje efektywność w aplikacjach o wysokim natężeniu. Specyfikacja obejmuje szybką diodę zabezpieczającą, która minimalizuje straty przełączania, zwiększając wydajność w układach impulsowych. Odwiedź części elektroniczne dla dalszych informacji o produkcie.
ID produktu: 13252
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRG4PC40FD, znany również jako G4PC40FD, w obudowie TO-247, jest wysokowydajnym urządzeniem przeznaczonym do zastosowań w przekształtnikach mocy. Charakteryzuje się napięciem przebicia Vce(max) wynoszącym 600V oraz prądem kolektora Ic(max) dochodzącym do 40A. Oferuje niskie Vce(sat) dla zwiększonej efektywności energetycznej oraz szybką przełączalność. Znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach zasilania, takich jak przetwornice częstotliwości czy układy UPS. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajdziesz na stronie impelshop.com.
ID produktu: 13254
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor MDHT4N20Y, wykonany w technologii SMD i zapakowany w obudowę SOT-223, charakteryzuje się napięciem drenu do źródła (Vds) wynoszącym 200V oraz prądem drenu (Id) na poziomie 4A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, znajduje zastosowanie w układach przełączających i wzmacniaczach mocy, zapewniając efektywną pracę w szerokim zakresie temperatur.
ID produktu: 13255
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor MPSA44, w obudowie TO-92, to element półprzewodnikowy typu NPN o wysokim napięciu pracy, sięgającym do 400V. Charakteryzuje się maksymalnym prądem kolektora Ic=0.5A. Jego zastosowanie znajduje przede wszystkim w aplikacjach przełączających i wzmacniaczy o wysokiej częstotliwości. Dostępność części elektronicznych na rynku umożliwia integrację w zaawansowanych projektach elektronicznych.
ID produktu: 13256
Stan magazynowy: w magazynie
Model R6020ANX, inkapsulowany w obudowie PLASTIC TO-220F, jest tranzystorem N-MOSFET przeznaczonym do zastosowań w układach o wysokiej mocy. Charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID na poziomie 20A. Niska rezystancja kanału RDS(on) zapewnia efektywną pracę w szerokim zakresie temperatur. Przeznaczony do aplikacji przemysłowych, w tym [części elektronicznych](https://www.impelshop.com/), wymagających niezawodności i długiej żywotności.