ID produktu: 8879
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC3927, w obudowie TO-247, wykonany z metalu, charakteryzuje się wysoką mocą oraz zdolnością do pracy przy znacznych obciążeniach prądowych. Idealny dla aplikacji wymagających niezawodnej regulacji przepływu prądu. W ofercie dostępne są również inne części elektroniczne, komplementarne do tego modelu.
ID produktu: 10094
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 8426
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SC3979, wykonany w obudowie TO-220F, jest bipolarnym tranzystorem NPN, przeznaczonym do zastosowań w układach o średniej mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera (VCEO) wynoszącym maksymalnie 60V oraz prądem kolektora (IC) do 3A. W zakresie części elektronicznych, ten komponent znajduje zastosowanie głównie w zasilaczach, przetwornicach oraz innych układach sterowania mocy.
ID produktu: 10721
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC3997, zintegrowany w obudowie TO-247, charakteryzuje się wysoką mocą oraz zdolnością do pracy przy znacznym prądzie kolektora. Jego parametry pozwalają na zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych, gdzie stabilność i efektywność są kluczowe. Dedykowany dla aplikacji o wysokich wymaganiach, ten komponent jest często wybierany przez projektantów części elektronicznych. Jego specyfikacja techniczna obejmuje, między innymi, wysoką częstotliwość pracy i niskie straty mocy.
ID produktu: 8427
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SC3998, z obudową TO-247, jest bipolarnym tranzystorem NPN o wysokiej mocy, przeznaczonym do zastosowań w układach przetwarzania energii. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 450V oraz maksymalnym prądem kolektora IC równym 15A. Dedykowany do aplikacji wymagających wysokiej efektywności i niezawodności, znajduje zastosowanie w zasilaczach, inwerterach oraz innych częściach elektronicznych o podobnym profilu obciążenia.
ID produktu: 8429
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC4058, bipolarny, NPN, o wysokiej mocy, przeznaczony do zastosowań w układach wzmacniających i przełączających. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 800V oraz prądem kolektora IC do 3A. Znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych, wymagających stabilności i wydajności przy wysokich napięciach.
ID produktu: 8993
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC4140, zaprojektowany w obudowie TO-3PN, jest elementem półprzewodnikowym NPN o wysokiej mocy. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 500V oraz prądem kolektora IC do 7A. Dedykowany dla aplikacji przemysłowych, w tym zasilaczy impulsowych i przetwornic częstotliwości, tranzystor ten zapewnia doskonałe parametry w zakresie szybkiego przełączania. Współpracuje z częściami elektronicznymi w układach o wysokich wymaganiach termicznych i elektrycznych.
ID produktu: 8880
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC4148, bipolarny, NPN, przeznaczony do zastosowań w układach przełączających i wzmacniaczy o niskiej mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 30V oraz prądem kolektora IC o wartości 500mA. Obudowa typu TO-92 zapewnia kompatybilność z wieloma częściami elektronicznymi. Parametry graniczne urządzenia obejmują maksymalną moc rozpraszania PD równą 625mW.
ID produktu: 8881
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC4163, wykonany w obudowie TO-220, charakteryzuje się zdolnością do pracy w średnich częstotliwościach. Jako element bipolarny typu NPN, znajduje zastosowanie w różnorodnych aplikacjach elektronicznych, wymagających stabilnej pracy w zakresie średnich mocy. Integralną częścią tego komponentu jest jego metalowa obudowa, zapewniająca efektywne odprowadzanie ciepła. Dostępność tego tranzystora w szerokiej gamie części elektronicznych ułatwia integrację z różnorodnymi układami.
ID produktu: 8430
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC4236, zamknięty w obudowie TO-3PN, charakteryzuje się wysoką mocą oraz zdolnością do pracy w szerokim zakresie temperatur. Jego parametry pozwalają na efektywne przełączanie i wzmacnianie sygnałów w zaawansowanych częściach elektronicznych. Odpowiedni dla aplikacji wymagających niezawodności i długiej żywotności.