Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 8557
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BD249C, z obudową TO-3PN, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO równym 100V oraz prądem kolektora IC do 25A. Urządzenie to, będące elementem kluczowym w obwodach mocy, zapewnia wysoką wydajność termiczną dzięki zastosowaniu obudowy TO-3PN. W kontekście części elektronicznych, BD249C znajduje zastosowanie w zasilaczach, przetwornicach oraz innych aplikacjach wymagających niezawodnej regulacji mocy.
ID produktu: 8558
Stan magazynowy: w magazynie
BD250C, będący elementem w obudowie TO-3PN, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora wynoszącym 100V oraz maksymalnym prądem kolektora na poziomie 30A. Jako część elektroniczna, znajduje zastosowanie w aplikacjach mocy, w tym w systemach audio o wysokiej wydajności. Dysponuje PNP typem polaryzacji, co determinuje jego specyfikę użytkową w układach elektronicznych.
ID produktu: 9862
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BD435, z obudową TO-126, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera wynoszącym 32V oraz prądem kolektora do 4A. Zapewniając zdolność do pracy w szerokim zakresie temperatur, od -55°C do +150°C, jest on często wykorzystywany w aplikacjach o średniej mocy. Dostępność tych części elektronicznych ułatwia projektowanie urządzeń elektronicznych z wymaganiami dotyczącymi niezawodności i efektywności termicznej.
ID produktu: 9181
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BD675, zamknięty w obudowie TO-126, jest półprzewodnikowym elementem dyskretnym, przeznaczonym do zastosowań w układach wzmacniaczy mocy oraz przełącznikach. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 45V oraz prądem kolektora IC maksymalnym na poziomie 4A. W jego specyfikacji technicznej znajduje się również współczynnik wzmocnienia prądowego hFE, który oscyluje w określonych warunkach pracy. Dla osób poszukujących części elektronicznych, BD675 oferuje stabilność parametrów w szerokim zakresie temperatur.
ID produktu: 9723
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BD680A, w obudowie TO-126, jest półprzewodnikowym elementem wykonawczym typu PNP, charakteryzującym się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO równym 80V oraz prądem kolektora IC do 4A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w różnorodnych układach wzmacniaczy mocy oraz przełączników. Dla osób poszukujących części elektronicznych, BD680A oferuje stabilne parametry w szerokim zakresie temperatur pracy.
ID produktu: 9655
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BD681, z obudową TO-126, jest elementem półprzewodnikowym NPN o zdolności przenoszenia prądu do 4A przy napięciu kolektora-emitera wynoszącym maksymalnie 100V. Charakteryzuje się także mocą strat wynoszącą do 40W. Wśród części elektronicznych, BD681 znajduje zastosowanie w aplikacjach o średniej mocy, np. w układach przełączających i wzmacniaczach.
ID produktu: 10738
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Tranzystor BD788, z obudową TO-126, charakteryzuje się napięciem kolektora-emitera wynoszącym do 60V oraz prądem kolektora do 3A. Urządzenie to, należące do klasy PNP, znajduje szerokie zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach wzmacniających i przełączających. Parametry termiczne oraz elektryczne tego komponentu pozwalają na efektywną pracę w zaawansowanych systemach elektronicznych.
ID produktu: 9863
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BD907, bipolarny, typu PNP, przeznaczony do zastosowań w układach wzmacniaczy mocy oraz regulacji napięcia. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora VCEO równym 100V oraz maksymalnym prądem kolektora IC wynoszącym 12A. Dostępny w obudowie TO-220, zapewnia dobrą wydajność termiczną. Współpracuje z szerokim zakresem części elektronicznych.
ID produktu: 9003
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 9004
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BD912, zamknięty w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera wynoszącym 100V oraz prądem kolektora do 15A. Jego zastosowanie znajduje przede wszystkim w aplikacjach o wysokim napięciu. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych jest kluczowym komponentem w budowie układów zasilających i przetworników mocy.