Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 10117
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUK445-400B, to element półprzewodnikowy N-Channel MOSFET, zaprojektowany do zastosowań w przekształtnikach i regulatorach napięcia. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło Vds=400V, prądem drenu Id=4.5A oraz rezystancją kanału Rds(on)=1.5?. Jest często stosowany w układach zasilających, wymagających wysokiej efektywności i niezawodności. Dostępny w obudowie TO-220, zapewnia doskonałą zdolność do rozpraszania ciepła. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajdziesz na stronie.
ID produktu: 10118
Stan magazynowy: w magazynie
Model BUK455-400B, z obudową typu TO-220, jest tranzystorem mocy N-MOSFET, zapewniającym prąd drenu do 20A przy napięciu dren-źródło wynoszącym 400V. Urządzenie charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia, co minimalizuje straty mocy. Wysoka szybkość przełączania oraz zdolność do pracy w szerokim zakresie temperatur sprawiają, że znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych.
ID produktu: 10470
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUK455-600B METAL, w obudowie TO-220, jest urządzeniem półprzewodnikowym o charakterystyce unipolarny z kanałem typu n. Przeznaczony do zastosowań w układach przełączających, charakteryzuje się napięciem drenu-source VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID na poziomie maksymalnym 7A. Wysoka odporność na impulsy prądowe i niski opór w stanie przewodzenia, czynią go odpowiednim dla szerokiej gamy części elektronicznych.
ID produktu: 9532
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUL310 METAL, z obudową TO220, charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera (Vce) wynoszącym 800V oraz prądem kolektora (Ic) do 8A. Urządzenie to, dedykowane jest do zastosowań w przekształtnikach wysokiej częstotliwości oraz w układach sterowania silnikami. Integralną część stanowią części elektroniczne, zapewniające niezbędne wsparcie dla szerokiego spektrum aplikacji przemysłowych.
ID produktu: 8603
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUL312FP, bipolarny, o strukturze NPN, przeznaczony do zastosowań w przetwornicach wysokiej częstotliwości oraz w układach zasilających. Charakteryzuje się wysoką zdolnością do przewodzenia prądu (IC max = 8A) oraz napięciem przebicia kolektor-emiter V(BR)CEO = 700V. Wysoka szybkość przełączania i niska rezystancja w stanie nasycenia zapewniają efektywną pracę w częściach elektronicznych o dużej mocy.
ID produktu: 8605
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Tranzystor BUL312HI, będący elementem półprzewodnikowym, charakteryzuje się wysokim napięciem przebicia oraz dużą mocą. Przeznaczony do zastosowań w układach przetwarzania energii, wykazuje szybką odpowiedź na zmiany sygnału. W kontekście części elektronicznych, BUL312HI odgrywa kluczową rolę w konstrukcjach wymagających niezawodności i efektywności energetycznej. Jego parametry umożliwiają implementację w zaawansowanych projektach elektronicznych, gdzie stabilność i długotrwała wydajność są priorytetem.
ID produktu: 8606
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUL58D, wykonany w obudowie metalowej TO-220, jest elementem półprzewodnikowym przeznaczonym do zastosowań w układach przełączających o wysokiej częstotliwości. Charakteryzuje się napięciem kolektor-emiter VCEO wynoszącym 400V oraz prądem kolektora IC do 4A. Dedykowany dla zaawansowanych aplikacji, znajduje swoje zastosowanie w przemyśle oraz w zaawansowanych częściach elektronicznych.
ID produktu: 8608
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUT11A, w obudowie metalowej typu TO-220, charakteryzuje się napięciem przebicia kolektor-emiter wynoszącym 450V oraz prądem kolektora do 5A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, znajduje zastosowanie w przetwornicach, układach zasilania, a także w aplikacjach przemysłowych wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur.
ID produktu: 8814
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUT11AF, zaprojektowany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się wysoką mocą oraz napięciem pracy. Jako element półprzewodnikowy, znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych, gdzie stabilność i efektywność są kluczowe. Dostępność tego komponentu w ofercie części elektronicznych umożliwia integrację z szerokim spektrum urządzeń.
ID produktu: 8609
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUT11APX, w obudowie PLASTIC (TO-220F), to komponent przeznaczony do zastosowań w przetwornicach wysokiej mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 450V oraz prądem kolektora IC na poziomie 5A. Dzięki zastosowaniu technologii SILICON DIFFUSED, tranzystor ten zapewnia wysoką szybkość przełączania i niskie straty mocy. Idealny do zasilaczy impulsowych, inwerterów oraz aplikacji przemysłowych. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajduje się na stronie.