ID produktu: 8396
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SB688, obudowa TO-247, to półprzewodnikowy komponent bipolarnej konstrukcji PNP, przeznaczony do zastosowań w układach o wysokim napięciu. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektor-emiter wynoszącym -120V oraz maksymalnym prądem kolektora -6A. Odpowiedni dla aplikacji audio oraz w układach zasilających. Dostępny w częściach elektronicznych o wysokiej niezawodności.
ID produktu: 9648
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SB698, z obudową TO-92, jest półprzewodnikowym elementem bipolarnym typu PNP, przeznaczonym do zastosowań niskosygnałowych. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz umiarkowaną prędkością przełączania. Integralną część stanowią części elektroniczne, które wspierają jego funkcjonalność w różnorodnych układach elektronicznych.
ID produktu: 9715
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SB772, w obudowie TO-126, to półprzewodnikowy element bipolarny typu PNP. Charakteryzuje się maksymalną mocą wyjściową 30W, napięciem kolektor-emiter wynoszącym 30V oraz prądem kolektora do 3A. Znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach wzmacniających i przełączających.
ID produktu: 9935
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 9524
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SB826, tranzystor typu PNP, charakteryzuje się obudową MEATAL w standardzie TO-220, zapewniającą efektywny rozpraszanie ciepła. Przeznaczony do aplikacji o średniej mocy, posiada maksymalne napięcie kolektor-emiter wynoszące -80V oraz prąd kolektora do -3A. Integralną częścią oferty części elektronicznych są parametry takie jak niska rezystancja w stanie nasycenia, co przekłada się na zwiększoną efektywność w układach zasilających i przełączających.
ID produktu: 9323
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC1006, w obudowie TO-92, to element bipolarny NPN o maksymalnym napięciu kolektor-emiter wynoszącym 50V oraz prądzie kolektora do 150mA. Charakteryzuje się częstotliwością przełączania do 100MHz, co czyni go odpowiednim do zastosowań w niskoszumowych wzmacniaczach oraz w układach przełączających. Dla osób poszukujących części elektronicznych, 2SC1006 oferuje stabilne parametry w szerokim zakresie temperatur pracy.
ID produktu: 10717
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC1008, obudowa TO-92, to bipolarny tranzystor NPN, przeznaczony do zastosowań w układach przełączających i wzmacniaczy niskiej mocy. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 30V oraz maksymalnym prądem kolektora IC do 500mA. Dostępny w szerokim spektrum części elektronicznych, wykazuje stabilność termiczną i szybką odpowiedź przełączania.
ID produktu: 9854
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC1027, wykonany w obudowie TO-92L, to półprzewodnikowy element dyskretny, przeznaczony do zastosowań w układach wzmacniacza mocy oraz przełączania. Charakteryzuje się niskim poziomem szumów oraz wysoką czułością. Dla inżynierów i techników poszukujących specyficznych części elektronicznych, 2SC1027 oferuje stabilną pracę w szerokim zakresie temperatur. Jego parametry elektryczne umożliwiają efektywne sterowanie sygnałem w aplikacjach niskiej i średniej mocy.
ID produktu: 9234
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SC1419 to tranzystor bipolarny NPN, zamknięty w obudowie typu TO-220, zapewniającej doskonałe odprowadzanie ciepła. Charakteryzuje się maksymalną dopuszczalną mocą PTOT równą 25W, napięciem kolektor-emiter VCEO wynoszącym 60V oraz prądem kolektora IC do 3A. Znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w układach wzmacniaczy mocy i przełączników.
ID produktu: 10089
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC1567, z obudową TO-126, jest półprzewodnikiem NPN o maksymalnym napięciu kolektora VCEO wynoszącym 60V oraz prądzie kolektora IC do 3A. Charakteryzuje się wzmocnieniem prądowym hFE w zakresie 40-320 przy IC=0.5A. Znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach wzmacniających i przełączających.