Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 11444
Stan magazynowy: w magazynie
Model BUP400D, będący tranzystorem w obudowie SMD, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera wynoszącym 400V oraz prądem kolektora do 30A. Jego aplikacje znajdują szerokie zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych, gdzie wymagana jest wysoka efektywność i niezawodność. Dostępność tych części elektronicznych ułatwia implementację w projektach wymagających komponentów o precyzyjnych parametrach elektrycznych.
ID produktu: 11445
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUV50, zaprojektowany w obudowie TO-3, charakteryzuje się napięciem kolektor-emiter wynoszącym maksymalnie 450V oraz prądem kolektora do 30A. Urządzenie to, dedykowane do aplikacji w obszarze przemysłowym, wykazuje parametry pozwalające na efektywną pracę w układach przełączających i wzmacniaczach mocy. W kontekście części elektronicznych, BUV50 stanowi komponent o znaczącym potencjale w projektowaniu zaawansowanych systemów elektronicznych.
ID produktu: 11446
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUZ100F SMD, zaliczany do kategorii MOSFET o strukturze N-kanalowej, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 50V oraz prądem drenu ID równym 50A. Urządzenie to, zaprojektowane w obudowie SMD, znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych, wymagających komponentów o wysokiej wydajności prądowej. Dla zapewnienia optymalnej integracji z częściami elektronicznymi, BUZ100F posiada niską rezystancję kanału RDS(on), co minimalizuje straty mocy. Jego zastosowanie obejmuje szeroki zakres aplikacji, od zasilaczy impulsowych po przetwornice częstotliwości.
ID produktu: 11454
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRF1010E, wykonany w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 60V oraz maksymalnym prądem drenu ID równej 84A. Urządzenie to jest przeznaczone do pracy w układach o wysokiej efektywności, oferując niską rezystancję w stanie przewodzenia RDS(on). Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w systemach zasilania, przetwornicach oraz regulatorach napięcia.
ID produktu: 11552
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFP140N, w obudowie TO-247, to element półprzewodnikowy typu N-MOSFET, charakteryzujący się napięciem dren-źródło VDS maksymalnym na poziomie 100V oraz prądem drenu ID wynoszącym do 33A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji, w tym w przetwornicach mocy, sterownikach silników oraz innych częściach elektronicznych wymagających efektywnego przełączania i regulacji napięcia.
ID produktu: 11456
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRGP4086, z obudową TO-247, jest elementem półprzewodnikowym wysokiej mocy, zaprojektowanym do zastosowań w układach przekształtnikowych. Charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem ciągłym Id do 70A. Jego dynamiczne parametry, takie jak niska rezystancja kanału Rds(on) oraz szybkość przełączania, czynią go odpowiednim do efektywnych aplikacji w przetwornicach częstotliwości i systemach zasilania. Dostęp do szerokiej oferty części elektronicznych umożliwia implementację w zaawansowanych projektach elektronicznych.
ID produktu: 11553
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRL3713 w obudowie METAL (TO-220) charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS = 30V, prądem drenu ID = 260A oraz niską rezystancją kanału RDS(on). Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji, w tym w przetwornicach DC/DC i układach sterowania silnikami. Dzięki technologii HEXFET Power MOSFET, zapewnia wydajność energetyczną oraz niezawodność. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajduje się na stronie dostawcy.
ID produktu: 11458
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor MJE340, w obudowie TO-126, to półprzewodnikowy element dyskretny NPN o maksymalnym napięciu kolektor-emiter wynoszącym 300V oraz prądzie kolektora do 500mA. Charakteryzuje się zdolnością do pracy w szerokim zakresie temperatur, od -55°C do +150°C. Szeroko stosowany w aplikacjach liniowych i przełączających, tranzystor ten znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych.
ID produktu: 11459
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor MJE350, z obudową TO-126, jest bipolarnym tranzystorem PNP o maksymalnym napięciu kolektora-emitera wynoszącym 300V oraz maksymalnym prądzie kolektora 500mA. Charakteryzuje się niskim nasyceniem napięcia kolektora-emitera, co czyni go odpowiednim do aplikacji w układach wzmacniaczy mocy i przełączników. Dla inżynierów i konstruktorów poszukujących części elektronicznych, MJE350 oferuje stabilne parametry w szerokim zakresie temperatur pracy.
ID produktu: 11460
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Tranzystor MRF1946, bipolarny, RF, klasy N, zaprojektowany do zastosowań w wysokoczęstotliwościowych układach wzmacniaczy mocy pracujących w zakresie do 18 GHz. Charakteryzuje się maksymalną mocą wyjściową 30W przy napięciu zasilania 12.5V. Specyfikacja obejmuje wysoką sprawność i stabilność termiczną. Znajduje zastosowanie w profesjonalnych częściach elektronicznych radiowych i telekomunikacyjnych.