Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 13157
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor MT3245, wykonany w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się wysoką wydajnością w aplikacjach o dużym obciążeniu. Jego parametry pozwalają na efektywne przełączanie i wzmacnianie sygnału w zaawansowanych układach elektronicznych. Dzięki zastosowaniu technologii METAL, urządzenie zapewnia lepszą dysypację ciepła. W częściach elektronicznych tego typu, kluczowe jest zachowanie stabilności termicznej przy jednoczesnym zapewnieniu optymalnej efektywności pracy.
ID produktu: 13158
Stan magazynowy: w magazynie
Model SLP740C, wykonany w obudowie TO-220, jest tranzystorem bipolarnym o wysokiej mocy. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz dużą prędkością przełączania, co sprawia, że znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych. Dedykowany dla aplikacji wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur. Element ten jest częścią części elektronicznych, niezbędnych w projektowaniu i naprawie urządzeń elektronicznych.
ID produktu: 13353
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 13351
Stan magazynowy: w magazynie
Model 10N50, wykonany w obudowie TO-220F, jest tranzystorem typu MOSFET, zaprojektowanym do pracy w układach o wysokiej częstotliwości. Charakteryzuje się napięciem drenu do źródła (Vds) wynoszącym maksymalnie 500V oraz prądem drenu (Id) na poziomie 10A. Dzięki zastosowaniu technologii w obudowie PLASTIC, tranzystor ten oferuje doskonałą wydajność termiczną. Przeznaczony do zastosowań w zaawansowanych częściach elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przekształtnikach oraz innych urządzeniach wymagających efektywnej komutacji.
ID produktu: 13230
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 10N65 METAL (TO-220) to półprzewodnikowy element wykonany w technologii MOSFET, charakteryzujący się napięciem pracy do 650V oraz prądem drenu Id(max) wynoszącym 10A. Obudowa TO-220 zapewnia efektywną dystrybucję ciepła. Urządzenie jest przeznaczone do zastosowań w wysokonapięciowych układach zasilających. Dostępne części elektroniczne ułatwiają integrację z różnorodnymi układami.
ID produktu: 13231
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 11N50, zawarty w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 500V oraz prądem drenu do 11A. Urządzenie to jest przystosowane do pracy w szerokim zakresie temperatur, co zapewnia jego uniwersalność w różnorodnych aplikacjach. Dedykowany głównie do zastosowań w przetwornicach mocy, stanowi kluczowy komponent w częściach elektronicznych wymagających niezawodności i efektywności energetycznej.
ID produktu: 13349
Stan magazynowy: w magazynie
Model FS17N20D, w obudowie SMD typu TO-263, to tranzystor typu MOSFET N-kanałowy, zaprojektowany do zastosowań w wysokonapięciowych obwodach przełączających. Charakteryzuje się napięciem drenu-źródła Vds=200V, prądem drenu Id=17A oraz niską rezystancją w stanie przewodzenia Rds(on), co minimalizuje straty mocy. Dedykowany dla części elektronicznych wymagających efektywnej kontroli mocy w kompaktowych rozwiązaniach.
ID produktu: 13233
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2N5550 SMD, bipolarny, typu NPN, przeznaczony jest do pracy w układach wzmacniaczy niskoszumowych oraz w aplikacjach przełączających. Charakteryzuje się napięciem kolektora-emitera VCEO do 140V oraz maksymalnym prądem kolektora IC wynoszącym 600mA. Dostępny w obudowie SMD, zapewnia łatwą integrację z częściami elektronicznymi na płytce drukowanej. Parametry te pozwalają na szerokie zastosowanie w nowoczesnych układach elektronicznych.
ID produktu: 13234
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2N5551 SMD, bipolarny, typu NPN, przeznaczony do zastosowań o wysokiej częstotliwości, charakteryzuje się napięciem przebicia kolektor-emiter wynoszącym 160V oraz prądem kolektora do 600mA. Dostępny w obudowie SMD, jest komponentem powszechnie wykorzystywanym w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach wzmacniających i przełączających.
ID produktu: 13235
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2PG011, skonfigurowany w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem przebicia kolektor-emiter wynoszącym 600V oraz prądem kolektora do 10A. Element ten, należący do grupy części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz innych aplikacjach wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur.