Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 8445
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC5144, w obudowie PLASTIC (TO-3PF), jest elementem półprzewodnikowym NPN, przeznaczonym do zastosowań w układach o wysokiej mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera (Vce) wynoszącym 400V oraz prądem kolektora (Ic) równym 7A. Dedykowany do aplikacji w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz innych urządzeniach elektronicznych. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajduje się na stronie.
ID produktu: 8447
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC5148, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-3PF), charakteryzuje się wysoką mocą oraz efektywnością w aplikacjach przemysłowych. Jego parametry pozwalają na zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych, gdzie niezbędna jest stabilność i niezawodność. Dedykowany dla urządzeń wymagających precyzyjnej regulacji mocy, znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych. Specyfikacja techniczna obejmuje szeroki zakres napięć i prądów, co czyni go uniwersalnym komponentem w wielu konfiguracjach obwodów.
ID produktu: 8448
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC5149, bipolarny, NPN, o wysokiej mocy, przeznaczony do zastosowań w układach przetwarzania sygnału oraz jako element końcowy w wzmacniaczach mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 140V, prądem kolektora IC do 10A oraz maksymalną mocą strat PT 100W. Tranzystor znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych, wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur.
ID produktu: 8451
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC5244, bipolarny, NPN, przeznaczony do zastosowań w obwodach przełączających i wzmacniaczach mocy, charakteryzuje się napięciem kolektor-emiter VCEO wynoszącym 400V oraz prądem kolektora IC do 7A. Jego maksymalna moc rozpraszana PD osiąga 40W. Dostępność części elektronicznych obejmuje również modele o podobnych parametrach, lecz różniących się obudową czy zakresem temperatur pracy.
ID produktu: 8452
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC5251, bipolarny, NPN, przeznaczony do zastosowań w wysokonapięciowych układach wzmacniaczy mocy, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 230V oraz prądem kolektora IC do 15A. Element ten znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych, wymagających stabilnej pracy przy wysokich napięciach.
ID produktu: 8801
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SC5296, bipolarny tranzystor NPN, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera (Vce) wynoszącym 800V, prądem kolektora (Ic) do 10A oraz mocą strat (Pc) do 100W. Znajduje zastosowanie w aplikacjach o wysokim napięciu oraz w układach przetwarzania mocy. Dostępny w obudowie TO-3P, zapewnia wysoką efektywność termiczną. Więcej informacji o częściach elektronicznych można znaleźć online.
ID produktu: 8802
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SC5299 to wysokonapięciowy, bipolarny tranzystor NPN, przeznaczony do zastosowań w układach wzmacniaczy mocy audio. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera (VCEO) wynoszącym 140V oraz maksymalnym prądem kolektora (IC) osiągającym 10A. Jego zdolność do obsługi wysokich wartości prądu oraz napięcia sprawia, że znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych wymagających stabilnej pracy przy dużych obciążeniach.
ID produktu: 8994
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC5302, skonstruowany w obudowie PLASTIC (TO-3PF), charakteryzuje się wysoką mocą oraz wydajnością prądową. Element ten, stosowany przede wszystkim w aplikacjach wymagających stabilnej pracy przy wysokich napięciach, jest kluczowym komponentem w zaawansowanych częściach elektronicznych. Jego parametry zapewniają optymalne rozwiązanie dla systemów zasilania, przekształtników częstotliwości oraz w układach sterowania silnikami.
ID produktu: 8453
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 9937
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC5338, bipolarny, NPN, przeznaczony do zastosowań w układach wysokiej częstotliwości, charakteryzuje się niskim poziomem szumów oraz wysoką maksymalną dopuszczalną mocą. Znajduje zastosowanie w profesjonalnych częściach elektronicznych RF i mikrofalowych. Parametry graniczne określają maksymalne napięcie kolektor-emiter na poziomie 12V oraz prąd kolektora 100mA.