Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 8509
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SJ306, będący elementem z kategorii części elektronicznych, charakteryzuje się typem P-Channel MOSFET, przeznaczony jest do zastosowań w układach wysokiej mocy. Zdolność do pracy przy napięciu dren-źródło wynoszącym do 60V oraz prądzie drenu do 50A, czyni go odpowiednim do zastosowań w przekształtnikach mocy i układach sterowania silnikami.
ID produktu: 8510
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SJ307, wykonany w technologii MOSFET P-Channel, charakteryzuje się niskim napięciem progowym oraz wysoką efektywnością prądową. Przeznaczony do zastosowań w układach wzmacniaczy mocy, przetwornicach i innych urządzeniach wymagających efektywnej komutacji. Dostępny w obudowie TO-220 zapewniającej optymalne odprowadzanie ciepła. Znajdź więcej informacji o częściach elektronicznych takich jak Tranzystor 2SJ307.
ID produktu: 10104
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SJ449, typ P-channel MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło V(DSS) wynoszącym -60V oraz prądem drenu I(D) o wartości -35A. Urządzenie to, zaprojektowane z myślą o aplikacjach o wysokiej wydajności, znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC/DC oraz systemach zarządzania mocą.
ID produktu: 8511
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SJ512, należący do rodziny P-Channel MOSFET, charakteryzuje się niskim napięciem przebicia dren-źródło (VDS) wynoszącym -60V oraz prądem drenu (ID) do -20A. Zastosowanie technologii MOSFET zapewnia wysoką efektywność przy minimalizacji strat mocy. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji, w tym w przetwornicach mocy, regulatorach napięcia oraz innych częściach elektronicznych wymagających kluczowania o niskiej rezystancji kanału.
ID produktu: 9238
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SJ598, wykonany w obudowie TO-251, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką prędkością przełączania. Jako element z kategorii części elektronicznych, znajduje zastosowanie w układach zasilania, przetwornicach oraz innych aplikacjach wymagających efektywnej kontroli przepływu prądu. Dzięki swoim parametrom technicznym, 2SJ598 jest odpowiedni do pracy w szerokim zakresie temperatur, co zapewnia jego uniwersalność w różnorodnych projektach elektronicznych.
ID produktu: 8512
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SJ6810, wykonany w obudowie PLASTIC TO-3PF, charakteryzuje się polarnością P-channel MOSFET. Urządzenie to zapewnia maksymalne napięcie drenu-source wynoszące -200V, a maksymalny prąd ciągły drenu osiąga wartość do -10A. Integralnym aspektem konstrukcji jest niska rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on), co minimalizuje straty mocy. Zastosowanie znajduje w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w systemach zasilania i przekształtnikach częstotliwości.
ID produktu: 8513
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SJ6812, charakteryzujący się typem P-MOSFET, oferuje niski opór w stanie przewodzenia. Przeznaczony do zastosowań w wysokonapięciowych obwodach przełączających, posiada maksymalne napięcie dren-źródło VDS wynoszące 600V oraz prąd drenu ID na poziomie 12A. Obudowa TO-220AB zapewnia efektywne rozpraszanie ciepła. Dostępność tego komponentu i innych części elektronicznych ułatwia projektowanie zaawansowanych systemów elektronicznych.
ID produktu: 8515
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SJ6920 BIG w obudowie TO264 to zaawansowany komponent półprzewodnikowy P-Channel MOSFET, charakteryzujący się wysoką prędkością przełączania. Urządzenie to zapewnia doskonałą wydajność w aplikacjach o wysokim napięciu, oferując jednocześnie zredukowany poziom strat mocy. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC/DC oraz innych zaawansowanych systemach elektronicznych wymagających niezawodnych rozwiązań w zakresie zarządzania mocą.
ID produktu: 8516
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SJ6920, należący do obudowy SOT430, jest tranzystorem P-Kanałowym MOSFET, zaprojektowanym do zastosowań o niskim napięciu, charakteryzującym się niską rezystancją w stanie przewodzenia. Urządzenie to jest przystosowane do pracy w szerokim zakresie temperatur, co czyni go odpowiednim do zintegrowanych układów zasilania, w tym części elektronicznych o wysokiej efektywności i gęstości mocy.
ID produktu: 9858
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SJ78, wykonany w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się niskim poziomem szumów oraz wysoką wydajnością prądową. Jest to element półprzewodnikowy typu P-MOSFET, przeznaczony do zastosowań w układach wzmacniających, regulacyjnych i przełączających. Dzięki swojej konstrukcji, zapewnia stabilną pracę w szerokim zakresie temperatur. W częściach elektronicznych tego typu, kluczowe jest precyzyjne dopasowanie parametrów elektrycznych do specyfikacji technicznej aplikacji.