ID produktu: 8524
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Tranzystor 2SK1460, wykonany w obudowie PLASTIC TO-220F, jest elementem półprzewodnikowym N-Channel MOSFET, przeznaczonym do zastosowań w układach przełączających i wzmacniaczy mocy. Charakteryzuje się niską rezystancją kanału przy Vgs=10V, co umożliwia efektywną pracę w szerokim zakresie temperatur. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych jest to kluczowy komponent w projektowaniu zaawansowanych systemów elektronicznych.
ID produktu: 9087
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK1464, będący elementem z grupy części elektronicznych, charakteryzuje się niskim napięciem progowym i wysoką gęstością prądu drenu. Jego struktura typu N-channel MOSFET pozwala na efektywną pracę w układach przełączających. Parametry takie jak maksymalna moc rozpraszana oraz zakres temperatur pracy, czynią go odpowiednim do zastosowań w zaawansowanych systemach sterowania.
ID produktu: 9177
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SK1489, realizowany w obudowie TO-247, jest tranzystorem mocy typu N-MOSFET, zaprojektowanym do zastosowań w przetwornicach częstotliwości, układach zasilających oraz innych aplikacjach wymagających wysokiej efektywności przełączania. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym oraz dużą prądową zdolnością przewodzenia. Dla projektantów części elektronicznych stanowi kluczowy komponent w konstrukcji zaawansowanych systemów zasilania.
ID produktu: 9088
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK1507, w obudowie PLASTIC (TO-220F), to komponent półprzewodnikowy typu N-MOSFET, przeznaczony do zastosowań w układach przełączających i wzmacniaczy mocy. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym oraz wysoką prędkością przełączania. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, od zasilaczy po układy sterowania.
ID produktu: 8526
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SK1917 to tranzystor mocy typu N-channel MOSFET, przeznaczony do zastosowań w układach wysokiej częstotliwości. Charakteryzuje się wysokim napięciem przebicia VDS wynoszącym 500V oraz prądem drenu ID do 12A. Wysoka odporność na impulsy prądowe oraz niska rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on) minimalizują straty mocy. Znajduje zastosowanie w szerokiej gamie części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach oraz systemach sterowania silnikami.
ID produktu: 8745
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK1941, w obudowie PLASTIC TO-3PF, to element półprzewodnikowy N-Channel MOSFET, przeznaczony do zastosowań w układach mocy. Charakteryzujący się wysoką prędkością przełączania oraz niską rezystancją w stanie przewodzenia. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz układach sterowania silnikami.
ID produktu: 9333
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SK2056, wykonany w technologii MOSFET, charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia, zapewniając efektywną pracę w obwodach przełączających. Zapakowany w obudowę TO-220F, gwarantuje dobrą odporność termiczną. Przeznaczony do zastosowań w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz innych układach elektronicznych wymagających efektywnej komutacji.
ID produktu: 8527
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SK2078, tranzystor typu MOSFET N-Channel, charakteryzuje się napięciem dren-źródło Vds wynoszącym 900V, prądem drenu Id do 3A oraz mocą strat Pd wynoszącą 40W. Znajduje zastosowanie w szerokiej gamie aplikacji, w tym w przetwornicach mocy i zasilaczach impulsowych. Dostępność części elektronicznych umożliwia integrację w zaawansowanych układach elektronicznych.
ID produktu: 10824
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2098, w obudowie PLASTIC TO-220F, charakteryzuje się napięciem dren-źródło Vds=500V, prądem drenu Id=5A oraz mocą strat Pd=50W. Jako element z kategorii części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zasilaczach impulsowych, przetwornicach oraz w układach sterowania silnikami.
ID produktu: 8528
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SK212, należący do obudowy TO-92, jest tranzystorem polowym typu N, charakteryzującym się napięciem dren-źródło Vds=50V, prądem drenu Id=100mA oraz minimalnym napięciem progowym Vgs(th)=1.5V. Zastosowanie części elektronicznych tego typu znajduje się głównie w układach przełączających i wzmacniaczy sygnału niskiej mocy.