ID produktu: 8652
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRF730, z obudową typu TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 400V oraz prądem drenu ID równym 5.5A. Posiadając niską rezystancję kanału RDS(on), zapewnia efektywną pracę w układach przełączających. Wysoka szybkość przełączania oraz zdolność do pracy w szerokim zakresie temperatur sprawiają, że znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych.
ID produktu: 9099
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor typu IRF7319 SMD, zintegrowany w obudowie SOP-8, stanowi kluczowy komponent w układach elektronicznych, gdzie wymagana jest wysoka efektywność przełączania. Charakteryzując się podwójnym kanałem P+N, umożliwia efektywne sterowanie mocą w aplikacjach niskonapięciowych. Jego parametry elektryczne odpowiadają potrzebom zaawansowanych części elektronicznych, zapewniając stabilność pracy w szerokim zakresie temperatur. Specyfikacja techniczna obejmuje niskie napięcie progowe oraz minimalizację strat mocy, co jest kluczowe w optymalizacji wydajności systemów elektronicznych.
ID produktu: 8653
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 8654
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRF820, wykonany w obudowie TO-220, to element półprzewodnikowy MOSFET typu N, charakteryzujący się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 500V oraz prądem drenu ID do 2.5A. Znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji, w tym w zasilaczach impulsowych i przetwornicach częstotliwości. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych stanowi kluczowy komponent w projektowaniu układów elektronicznych o wysokiej wydajności.
ID produktu: 8655
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 8656
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRF840 w obudowie METAL (TO-220) to komponent półprzewodnikowy typu MOSFET z kanałem N, zaprojektowany do pracy w układach o wysokiej częstotliwości i mocy. Charakteryzuje się napięciem drenu-źródła Vds=500V, prądem drenu Id=8A oraz niską rezystancją kanału Rds(on)=0.85?. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, od zasilaczy po układy przekształtnikowe.
ID produktu: 8658
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRF9530N, wykonany w obudowie METAL TO-220, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDSS = -100V, prądem drenu ID = -12A oraz mocą strat Pd = 48W. Jego niskie napięcie progowe VGS(th) umożliwia efektywną pracę w niskonapięciowych układach sterowania. Integralną częścią oferty są części elektroniczne, gdzie znajduje zastosowanie w przetwornicach, regulatorach napięcia oraz innych aplikacjach wymagających efektywnego przełączania.
ID produktu: 8659
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRF9540N, z obudową TO-220, jest elementem półprzewodnikowym typu P-MOSFET, przeznaczonym do zastosowań w układach przełączających i wzmacniaczach mocy. Charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDS do -100V oraz prądem drenu ID do -23A. Wysoka odporność na impulsy prądowe oraz niska rezystancja kanału w stanie przewodzenia, RDS(on), zapewnia efektywną pracę w szerokim zakresie aplikacji. Szczegółowe informacje o parametrach i zastosowaniach znajdują się w karcie katalogowej dostępnej na stronie części elektronicznych.
ID produktu: 8660
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRF9610, wykonany w obudowie METAL TO-220, charakteryzuje się parametrami takimi jak napięcie przewodzenia Vds wynoszące 200V, prąd drenu Id do 1.8A oraz niskim poziomem rezystancji kanału Rds(on), co umożliwia efektywną pracę w układach przełączających. Jako element z kategorii części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zasilaczach, przetwornicach oraz innych układach elektronicznych wymagających stabilnego sterowania.
ID produktu: 8661
Stan magazynowy: w magazynie
Model IRF9620 to tranzystor P-MOSFET, charakteryzujący się napięciem dren-źródło Vds wynoszącym -200V oraz prądem drenu Id do -1.8A. Próg napięcia Vgs wynosi typowo -4V. Urządzenie to znajduje zastosowanie w układach sterowania mocą oraz w przetwornicach. Dla inżynierów i projektantów, poszukujących specyficznych części elektronicznych, IRF9620 oferuje stabilną pracę w szerokim zakresie temperatur.