Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 10120
Stan magazynowy: w magazynie
IRF4905, w obudowie METAL (TO-220), to tranzystor P-MOSFET charakteryzujący się napięciem dren-źródło VDS do -55V, prądem drenu ID do -74A i rezystancją w stanie załączenia RDS(on) maksymalnie 20m?. Jest przeznaczony do zastosowań w wysokowydajnych układach przełączających. Dostępny wśród części elektronicznych o szerokim zakresie zastosowania.
ID produktu: 8645
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRF510, zaprojektowany w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDSS wynoszącym 100V, prądem drenu ID do 5.6A oraz rezystancją kanału RDS(on) maksymalnie 0.54?. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji, w tym w przetwornicach, zasilaczach i układach sterowania. Dostępne są w ofercie części elektroniczne.
ID produktu: 8646
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRF520, w obudowie TO-220, to urządzenie półprzewodnikowe zaprojektowane do zastosowań w układach przełączających i wzmacniaczach mocy. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 100V oraz prądem drenu ID do 9.7A. Jego niskie napięcie progowe VGS(th) umożliwia efektywną pracę w niskonapięciowych układach sterowania. Dostępny w szerokim zakresie temperatur pracy, od -55°C do +175°C, co zapewnia wszechstronność zastosowań. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajdziesz na stronie impelshop.com.
ID produktu: 8647
Stan magazynowy: w magazynie
IRF530N, tranzystor typu MOSFET N-Channel, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 100V oraz prądem drenu ID o wartości 17A w obudowie TO-220. Zapewnia niską rezystancję w stanie przewodzenia RDS(on), co umożliwia efektywne sterowanie w aplikacjach o wysokich częstotliwościach. Części elektroniczne takie jak IRF530N znajdują zastosowanie w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC/DC oraz innych układach wymagających efektywnego przełączania.
ID produktu: 8648
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor typu N-MOSFET, IRF540N, zaprojektowany w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 100V oraz prądem drenu ID do 33A. Znajdujący zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, od zasilaczy po przetwornice częstotliwości, cechuje się niską rezystancją kanału RDS(on) oraz szybkim czasem przełączania.
ID produktu: 9008
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRF610, w obudowie METAL (TO-220), jest elementem półprzewodnikowym typu MOSFET o kanałach N, przeznaczonym do zastosowań ogólnych. Charakteryzuje się napięciem drenu-źródło VDS wynoszącym 200V oraz prądem drenu ID równym 3.3A. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum urządzeń elektronicznych, od zasilaczy po układy komutacyjne. Dostępność części elektronicznych na rynku umożliwia łatwą integrację w projektach inżynierskich.
ID produktu: 8649
Stan magazynowy: w magazynie
IRF620 to tranzystor MOSFET typu N-channel, charakteryzujący się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 200V oraz maksymalnym prądem drenu ID równym 5.2A przy TC=25°C. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC/DC oraz innych aplikacjach wymagających efektywnego przełączania.
ID produktu: 9098
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRF630 w obudowie METAL TO-220 to półprzewodnikowy komponent przeznaczony do zastosowań w układach przełączających i wzmacniaczych. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 200V oraz prądem drenu ID do 9A. Dzięki niskiemu napięciu progowemu, znajduje zastosowanie w szerokiej gamie części elektronicznych. Jego parametry termiczne pozwalają na efektywne odprowadzanie ciepła, co jest kluczowe przy wysokich obciążeniach.
ID produktu: 8650
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 8651
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRF720, należący do rodziny MOSFET typu N, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 400V oraz prądem drenu ID równym 3.3A. Jego rezystancja w stanie załączenia RDS(on) osiąga wartość do 1.8?. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w przetwornicach napięcia, systemach zasilania oraz w sterowaniu silnikami.