Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 9595
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUZ102 w obudowie METAL (TO-220) to komponent półprzewodnikowy typu MOSFET, przeznaczony do zastosowań w układach przełączających o wysokiej częstotliwości. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia (Rds(on)) oraz wysoką zdolnością do przewodzenia prądu. Jego struktura pozwala na efektywne rozpraszanie ciepła, co jest kluczowe w aplikacjach o zwiększonym obciążeniu termicznym. Współpracuje z szerokim zakresem napięć bramki, co umożliwia elastyczne dopasowanie do różnorodnych części elektronicznych.
ID produktu: 10888
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor FMG22R, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem przewodzenia do 600V oraz prądem kolektora do 20A. Specyfikacja obejmuje także niski współczynnik termiczny oraz szybki czas wyłączania. Idealnie nadaje się do zastosowań w układach przetwarzania mocy. Dostępność części elektronicznych umożliwia integrację w zaawansowanych projektach elektronicznych.
ID produktu: 10889
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor FMG22S, wykonany w technologii PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem przewodzenia w zakresie średnim. Jako element półprzewodnikowy, znajduje zastosowanie w różnorodnych układach elektronicznych, gdzie wymagana jest stabilność i efektywność pracy. Dostępność tego komponentu w ofercie części elektronicznych pozwala na realizację zaawansowanych projektów elektronicznych. Parametry elektryczne tranzystora FMG22S odpowiadają wymaganiom aplikacji o średniej mocy.
ID produktu: 10890
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor FS16KM, należący do rodziny MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło wynoszącym 600V oraz prądem drenu do 16A. Przeznaczony do zastosowań w przekształtnikach mocy, oferuje szybką komutację oraz niskie straty na przełączaniu. Wymagane sterowanie bramką o niskim napięciu podkreśla jego efektywność w układach o wysokiej częstotliwości pracy. W strukturze urządzenia zaimplementowano technologię planarną, zwiększającą jego niezawodność i stabilność termiczną. Dostęp do szerokiego zakresu części elektronicznych umożliwia integrację z różnorodnymi układami elektronicznymi.
ID produktu: 10891
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor H25R1202, zaliczany do części elektronicznych, jest półprzewodnikowym elementem wykonanym w technologii IGBT, który charakteryzuje się napięciem przebicia wynoszącym 1200V oraz prądem kolektora do 25A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach sterowania mocy, oferując szybkie przełączanie i niskie straty energetyczne.
ID produktu: 10614
Stan magazynowy: w magazynie
Model IRF7314 SMD to podwójny tranzystor polowy MOSFET typu P, zaprojektowany do pracy w zaawansowanych aplikacjach przełączających. Charakteryzujący się niską rezystancją w stanie przewodzenia RDS(on), wynoszącą zaledwie kilka m?, oraz wysoką odpornością na impulsowe przepięcia. Urządzenie to znajduje zastosowanie w układach zarządzania mocą oraz w konwerterach DC/DC, wymagających komponentów o wysokiej efektywności i niezawodności. Dzięki obudowie SMD, tranzystor IRF7314 jest idealny do zastosowań, gdzie ograniczona przestrzeń na płytce drukowanej jest kluczowym czynnikiem. Więcej informacji o częściach elektronicznych można znaleźć online.
ID produktu: 10893
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRF7389 SMD, realizowany w obudowie SOP-8, charakteryzuje się podwójnym kanałem typu N i P, umożliwiającym pracę przy napięciu do 30V oraz prądzie do 7.3A dla kanału N i 4.9A dla kanału P. Znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach przełączających i wzmacniaczach mocy. Jego niska rezystancja w stanie przewodzenia, Rds(on), zapewnia efektywną pracę w aplikacjach o wysokiej wydajności.
ID produktu: 10894
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFBC50, będący elementem z kategorii części elektronicznych, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDSS wynoszącym 600V, prądem drenu ID równym 70A oraz maksymalną mocą strat Pd wynoszącą 190W. Urządzenie to, zbudowane w technologii MOSFET, zapewnia szybką komutację przy zachowaniu niskiej rezystancji kanału RDS(on) nie przekraczającej 0.077?.
ID produktu: 9535
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRLR2905, wykonany w technologii SMD i zamknięty w obudowie D-PAK, charakteryzuje się niską rezystancją kanału przy Vgs=10V. Jego maksymalne napięcie drenu do źródła wynosi 55V, a maksymalny prąd ciągły drenu osiąga wartość 42A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w systemach zarządzania mocą oraz w przetwornicach DC/DC.
ID produktu: 10897
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor KSC1008, bipolarny, NPN, o maksymalnym napięciu kolektora-emitera wynoszącym 60V oraz prądzie kolektora 2A, charakteryzuje się wzmocnieniem prądowym w zakresie 100 do 400. Znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach wzmacniających i przełączających.