Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 11115
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2009 SMD, typu MOSFET, charakteryzuje się niskim napięciem progowym, co umożliwia efektywną pracę w układach o niskim napięciu zasilania. Dedykowany do zastosowań przełączających, wykazuje wysoką szybkość przełączania oraz niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia. Jego obudowa SMD zapewnia kompatybilność z technologią montażu powierzchniowego, co jest kluczowe dla miniaturyzacji części elektronicznych. Parametry takie jak maksymalne napięcie drenu-źródła, prąd drenu oraz moc wyjściowa są dostosowane do wymagań nowoczesnych układów elektronicznych.
ID produktu: 11116
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2225, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-3PF), charakteryzuje się parametrami pozwalającymi na efektywne przełączanie i wzmacnianie sygnałów w układach elektronicznych. Jego napięcie dren-źródło wynosi maksymalnie 900V, a prąd drenu - do 6A. Dedykowany dla szerokiego zakresu aplikacji, znajduje zastosowanie w przetwornicach mocy, zasilaczach impulsowych oraz innych częściach elektronicznych wymagających komponentów o wysokiej niezawodności.
ID produktu: 11117
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2717, w obudowie PLASTIC TO-220F, charakteryzuje się napięciem dren-źródło V(DSS) wynoszącym 900V oraz prądem drenu I(D) na poziomie 2A. Zapewnia wysoką wydajność przy minimalnych stratach mocy, co czyni go odpowiednim do zastosowań w przetwornicach wysokiej częstotliwości. Wartości te, w połączeniu z niskim napięciem progowym, ułatwiają integrację w zaawansowanych układach elektronicznych, gdzie stabilność i efektywność są kluczowe. Dostępność tych i innych części elektronicznych znacząco ułatwia projektowanie systemów elektronicznych.
ID produktu: 11118
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2731 SMD, należący do rodziny tranzystorów polowych MOSFET, wyróżnia się niskim napięciem progowym, co umożliwia jego efektywne zastosowanie w układach o ograniczonym zasilaniu. Charakteryzuje się parametrami: VDS max. 900V, ID max. 4A, co czyni go odpowiednim do zastosowań w przetwornicach częstotliwości, układach sterowania silnikami oraz w innych aplikacjach wymagających kluczowania mocy. Dostępność w obudowie SMD ułatwia implementację w nowoczesnych projektach części elektronicznych.
ID produktu: 11119
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK3484, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 500V oraz prądem drenu ID na poziomie 5A. Urządzenie to, kluczowe w aplikacjach przełączających, wykazuje niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia, co przekłada się na efektywność energetyczną. W kontekście części elektronicznych, 2SK3484 znajduje zastosowanie w zasilaczach impulsowych, konwersji energii oraz szeroko rozumianym przemyśle elektrotechnicznym.
ID produktu: 11120
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SK3484, w obudowie SMD typu TO-252, to tranzystor polowy MOSFET charakteryzujący się niskim napięciem progowym oraz wysoką gęstością prądu drenu. Przeznaczony do zastosowań w układach przełączających, oferuje stabilne parametry przy różnych obciążeniach. Dostępny w ofercie części elektronicznych, jest kluczowym komponentem w zaawansowanych systemach elektronicznych.
ID produktu: 11121
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK3615, w obudowie TO-251, to element półprzewodnikowy MOSFET typu N, charakteryzujący się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 900V oraz prądem drenu ID na poziomie 4A. Urządzenie to, dedykowane jest dla aplikacji wysokonapięciowych, gdzie stabilność termiczna i efektywność przełączania są kluczowe. W kontekście części elektronicznych, 2SK3615 znajduje zastosowanie w zasilaczach impulsowych, przetwornicach oraz w systemach zarządzania mocą.
ID produktu: 11123
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 44N25, należący do kategorii części elektronicznych, jest półprzewodnikowym elementem dyskretnym, charakteryzującym się napięciem przebicia VDS wynoszącym 250V oraz prądem drenu ID na poziomie 44A. Urządzenie to, wykorzystujące technologię MOSFET, zapewnia zwiększoną efektywność przy niższych stratach mocy, co jest kluczowe w zaawansowanych aplikacjach przemysłowych i konsumenckich.
ID produktu: 11124
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Model 50N322, zaprojektowany w obudowie TO-3PN, charakteryzuje się napięciem pracy do 500V oraz prądem kolektora o wartości maksymalnej 30A. Dedykowany dla aplikacji o wysokim obciążeniu, ten tranzystor NPN znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach zasilania i przekształtnikach częstotliwości. Wykorzystanie w częściach elektronicznych wymagających niezawodności i długotrwałej pracy, jest powszechne dzięki jego parametrom termicznym i elektrycznym.
ID produktu: 11125
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 7NK80ZFP PLASTIC, należący do rodziny półprzewodników mocy, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła V(DSS) wynoszącym 800V oraz prądem drenu I(D) na poziomie 7A. Obudowa typu TO-220FP zapewnia optymalną dyssypację ciepła. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji, w tym w przetwornicach DC/DC, zasilaczach impulsowych oraz innych częściach elektronicznych wymagających efektywnego zarządzania mocą.