Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 11845
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BDV96, z obudową typu TO-3PN, charakteryzuje się zdolnością do pracy przy wysokiej mocy. Urządzenie to, będące kluczowym elementem w układach przełączających, posiada wysoką wartość napięcia kolektora do emitera, co pozwala na efektywne sterowanie w aplikacjach przemysłowych. W kontekście części elektronicznych, BDV96 wyróżnia się także przez maksymalny prąd kolektora, co czyni go odpowiednim do zastosowań wymagających dużej wydajności prądowej.
ID produktu: 11846
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BF981, z obudową TO-50, jest elementem półprzewodnikowym typu MOSFET, przeznaczonym do pracy w układach wysokich częstotliwości. Charakteryzuje się niskim poziomem szumów oraz wysoką impedancją wejściową, co czyni go idealnym do zastosowania w precyzyjnych częściach elektronicznych takich jak wzmacniacze RF i oscylatory.
ID produktu: 11848
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUK7908-40AIE, zaprojektowany w obudowie METAL TO-220 o konfiguracji 5-pin, charakteryzuje się napięciem pracy do 40V oraz prądem wyjściowym o wartości do 75A. Jest to komponent przeznaczony do zastosowań w układach sterowania mocą, gdzie wymagana jest wysoka efektywność i niezawodność. Dostępność tego i innych części elektronicznych znajdziesz w naszej ofercie.
ID produktu: 11849
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUT76, zaprojektowany w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem przebicia kolektor-emiter wynoszącym 800V oraz maksymalnym prądem kolektora Ic równym 4A. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w układach przełączających i wzmacniaczach mocy, znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych. Jego parametry termiczne pozwalają na efektywne rozpraszanie ciepła, co jest istotne w aplikacjach o wysokiej mocy.
ID produktu: 11850
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUX63, zamknięty w obudowie TO-66, jest elementem przeznaczonym do zastosowań w układach o wysokiej mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera Vceo wynoszącym 375V oraz maksymalnym prądem kolektora Ic równym 10A. Dzięki swoim parametrom, znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w układach przemysłowych i zasilających. Parametry termiczne i elektryczne tego tranzystora pozwalają na efektywną pracę w warunkach dużej obciążalności.
ID produktu: 11851
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUZ50, zamknięty w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 500V oraz prądem drenu 14A. Urządzenie to, wykonane z wykorzystaniem technologii MOSFET, zapewnia wysoką efektywność przy minimalnych stratach mocy. Integralną częścią są części elektroniczne, które umożliwiają efektywną pracę w szerokim zakresie aplikacji, od zasilaczy po przekształtniki częstotliwości.
ID produktu: 11852
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFB31N20D METAL, wykonany w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 200V oraz prądem drenu ID wynoszącym 31A. Jego RDS(on) maksymalnie osiąga wartość 0.082?. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC-DC oraz w systemach zarządzania mocą.
ID produktu: 11853
Stan magazynowy: w magazynie
Model FLC10-200, zamknięty w obudowie TO-252, jest tranzystorem NPN o maksymalnym napięciu kolektora do emitera wynoszącym 200V i prądzie kolektora 10A. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz szybkim czasem wyłączania. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w układach zasilania, sterowania silnikami oraz aplikacjach przemysłowych.
ID produktu: 12018
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor FQP33N10 METAL, w obudowie TO-220, to element półprzewodnikowy MOSFET typu N, charakteryzujący się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 100V oraz maksymalnym prądem drenu ID równym 33A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w układach zasilania, przetwarzania energii oraz sterowania silnikami.
ID produktu: 11854
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRFB4212, należący do rodziny MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 100V oraz prądem drenu ID na poziomie 35A. Jego niska rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on) minimalizuje straty mocy, co jest istotne w aplikacjach o wysokiej efektywności. Urządzenie to znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach zasilania, gdzie wymagana jest wysoka niezawodność oraz efektywność energetyczna. Dostępność części elektronicznych takich jak IRFB4212 umożliwia projektantom tworzenie bardziej kompaktowych i wydajniejszych systemów zasilania.