Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 12196
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK1432 PLASTIC, w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 500V oraz prądem drenu ID do 5A. Jego parametry pozwalają na zastosowanie w układach przełączających o wysokiej wydajności. Integralną częścią części elektronicznych jest jego zdolność do pracy w szerokim zakresie temperatur, co czyni go odpowiednim dla zaawansowanych aplikacji przemysłowych.
ID produktu: 12197
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2628, w obudowie TO-220F, jest elementem półprzewodnikowym N-MOSFET, charakteryzującym się zdolnością do pracy przy napięciu dren-źródło VDS wynoszącym 500V oraz prądzie drenu ID do 5A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji elektrotechnicznych, w tym w przekształtnikach częstotliwości, zasilaczach impulsowych oraz w układach sterowania silnikami. Właściwości termiczne oraz elektryczne tego tranzystora pozwalają na efektywne zarządzanie mocą w układach, gdzie stabilność i niezawodność są kluczowe. Dostępność tego komponentu w ofercie części elektronicznych umożliwia integrację z różnorodnymi projektami elektronicznymi, zapewniając wysoką funkcjonalność oraz adaptacyjność do specyficznych wymagań technicznych.
ID produktu: 8546
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2843 PLASTIC (TO-220F) to element półprzewodnikowy MOSFET typu N, charakteryzujący się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 500V oraz prądem drenu ID do 5A. Obudowa TO-220F zapewnia efektywne odprowadzanie ciepła. Znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajduje się na stronie.
ID produktu: 12198
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK3850, w obudowie SMD typu TO-252, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 900V oraz prądem drenu ID w zakresie do 5A. Jako element z rodziny części elektronicznych, znajduje zastosowanie w przetwornicach, zasilaczach impulsowych, a także w układach sterowania silnikami. Wysoka odporność na udary prądowe oraz niska rezystancja kanału ON zapewnia efektywną pracę w szerokim zakresie temperatur.
ID produktu: 9944
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK4075, w obudowie SMD typu TO-252, jest elementem półprzewodnikowym N-Channel MOSFET, przeznaczonym do zastosowań w układach przełączających i wzmacniaczy mocy. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym oraz wysoką odpornością na impulsy. Dostępny w ofercie części elektronicznych.
ID produktu: 12199
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 30F126 PLASTIC, w obudowie TO-220F, charakteryzuje się zdolnością do pracy przy wysokich napięciach. Jego główne zastosowanie znajduje w przetwornicach mocy i układach sterowania. Dzięki solidnej konstrukcji, urządzenie zapewnia niezawodność w szerokim zakresie temperatur. W kontekście części elektronicznych, 30F126 wykazuje się również wysoką efektywnością przełączania.
ID produktu: 12200
Stan magazynowy: w magazynie
Model 30N60C, znany również jako G30N60C, to tranzystor w obudowie TO-247, charakteryzujący się napięciem pracy do 600V oraz prądem kolektora do 30A. Znajduje zastosowanie w zaawansowanych aplikacjach przemysłowych, gdzie wymagana jest wysoka efektywność i niezawodność. Wśród części elektronicznych, ten tranzystor wyróżnia się zdolnością do pracy w szerokim zakresie temperatur, od -55°C do 150°C. Jego parametry pozwalają na implementację w układach o wysokiej częstotliwości i mocy.
ID produktu: 12201
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Para tranzystorów 40T03GP oraz 4435GH, dedykowana do zastosowań w układach zasilania, charakteryzuje się niskim napięciem progowym oraz wysoką efektywnością przenoszenia ładunku. Optymalizacja parametrów dynamicznych tych części elektronicznych umożliwia ich efektywne wykorzystanie w zaawansowanych aplikacjach komutacyjnych.
ID produktu: 12202
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IXFH44N26, charakteryzujący się napięciem dren-źródło VDS do 250V oraz prądem drenu ID do 44A, jest elementem kluczowym w aplikacjach przemysłowych wymagających wysokiej mocy. Znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych, gdzie niezawodność i efektywność są krytyczne. Dzięki technologii MOSFET, urządzenie to oferuje doskonałe parametry RDS(on), minimalizując straty mocy. Wśród części elektronicznych, IXFH44N26 wyróżnia się wysoką tolerancją na przeciążenia.
ID produktu: 12203
Stan magazynowy: w magazynie
Model 75N07GP, wykonany w obudowie METAL TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 75V oraz prądem drenu 80A. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w częściach elektronicznych, zapewnia niską rezystancję w stanie przewodzenia, co minimalizuje straty mocy. Istotnym parametrem jest także czas włączania oraz wyłączania, co ma bezpośredni wpływ na efektywność pracy w aplikacjach przełączających.