Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 12309
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor FGA20N120, znany również jako 20N120, to element półprzewodnikowy w obudowie TO-3PN, zaprojektowany do zastosowań w wysokonapięciowych układach przełączających. Charakteryzujący się napięciem pracy do 1200V oraz prądem kolektora do 20A, jest często wykorzystywany w zasilaczach impulsowych oraz przekształtnikach częstotliwości. Jego parametry pozwalają na efektywną pracę w szerokim zakresie temperatur. Dla zainteresowanych częściami elektronicznymi, FGA20N120 oferuje stabilność termiczną i wysoką wydajność w wymagających aplikacjach.
ID produktu: 12310
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 30N60, oznaczony również jako G30N60, zaprojektowany w obudowie TO-247, charakteryzuje się wysoką mocą i efektywnością w przewodzeniu. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w aplikacjach przemysłowych, obsługuje napięcie do 600V przy prądzie 30A. Znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach zasilania, gdzie stabilność i niezawodność są priorytetem. Współpracuje z szerokim zakresem części elektronicznych, oferując elastyczność w projektowaniu systemów elektronicznych.
ID produktu: 12308
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 40N60 METAL, w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem kolektora do 40A. Urządzenie to, wykorzystywane w aplikacjach przemysłowych, oferuje szybką komutację i niskie straty mocy. Wysoka wydajność termiczna oraz odporność na wysokie temperatury czynią go odpowiednim do zastosowań wymagających niezawodności i długotrwałej pracy. Dostępne na stronie z częściami elektronicznymi.
ID produktu: 12405
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 12N50E, zamknięty w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem dren-źródło wynoszącym 500V oraz prądem drenu 12A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, operuje w trybie N-Channel, co umożliwia efektywne przełączanie i regulację w aplikacjach zasilania.
ID produktu: 12343
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2N5770, w obudowie TO-92, jest elementem półprzewodnikowym typu NPN, przeznaczonym do zastosowań o niskiej mocy. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 45V oraz maksymalnym prądem kolektora IC 100mA. Jego zastosowanie znajduje w różnorodnych układach elektronicznych, w tym w obwodach wzmacniacza i przełączania. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych stanowi podstawowy komponent do budowy zaawansowanych systemów elektronicznych.
ID produktu: 12348
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2PG006, w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem przebicia VBRCEO, które wynosi 600V oraz prądem kolektora IC o wartości 6A. Urządzenie to, będące kluczowym elementem w częściach elektronicznych, zapewnia wysoką efektywność przy minimalnych stratach mocy. Jego zastosowanie znajduje się głównie w układach zasilających, przetwornicach częstotliwości oraz innych aplikacjach wymagających stabilizacji napięcia przy dużej mocy.
ID produktu: 12338
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SC2608 to bipolarny tranzystor NPN, charakteryzujący się obudową typu TO-3, która zapewnia doskonałe odprowadzanie ciepła. Przeznaczony do aplikacji o wysokiej mocy, wykazuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 60V oraz maksymalnym prądem kolektora IC równym 3A. Dzięki tym parametrom, znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w zasilaczach i układach przemysłowych.
ID produktu: 12342
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SC2844, wykonany w technologii SMD i zapakowany w obudowę typu SOT-89, jest bipolarnym tranzystorem NPN. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektor-emiter wynoszącym 120V oraz prądem kolektora do 1A. Znajduje zastosowanie w szerokiej gamie aplikacji elektronicznych, w tym w układach wzmacniaczy sygnału i przełącznikach. Dostępne części elektroniczne ułatwiają integrację z różnorodnymi obwodami.
ID produktu: 12345
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SD4184, w obudowie SMD typu TO-252, charakteryzuje się bipolarną strukturą NPN. Przeznaczony do zastosowań w układach przełączających, posiada zdolność przewodzenia prądu do 3A przy napięciu kolektora do emitera wynoszącym maksymalnie 60V. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, od zasilaczy po układy sterowania. Jego parametry zapewniają efektywną pracę w warunkach wysokiej częstotliwości i temperatury.
ID produktu: 12339
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SD4515, charakteryzujący się obudową TO-3PN, jest półprzewodnikowym elementem bipolarnym NPN, przeznaczonym do zastosowań w układach o wysokiej mocy. Ze względu na swoje parametry, znajduje szerokie zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych, w tym w układach wzmacniacza mocy oraz w przetwornicach. Maksymalna dopuszczalna moc oraz napięcie kolektor-emiter to kluczowe parametry, które definiują jego aplikacyjność.