Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 8074
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor DTA114ES, w obudowie PLASTIC (TO-92S), jest półprzewodnikiem typu PNP, który charakteryzuje się wbudowanymi rezystorami bazowymi, umożliwiającymi implementację funkcji przełączania bez konieczności dodatkowych komponentów zewnętrznych. Urządzenie to znajduje zastosowanie w różnorodnych aplikacjach, takich jak układy sterowania, przetwarzanie sygnałów czy regulacja mocy. Dostępne w [częściach elektronicznych] Impelshop, Tranzystor DTA114ES jest kluczowym elementem w projektowaniu zaawansowanych systemów elektronicznych.
ID produktu: 12216
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor FDD3682 w obudowie SMD (TO-252) to element półprzewodnikowy typu N-MOSFET, przeznaczony do zastosowań w układach przełączających o wysokiej efektywności. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym, co umożliwia jego integrację z nowoczesnymi układami sterowania. Maksymalne napięcie dren-źródło wynosi 100V, a prąd drenu - do 80A, co pozwala na obsługę znacznych obciążeń. Wysoka szybkość przełączania oraz niska rezystancja kanału w stanie przewodzenia to kluczowe parametry, które decydują o wydajności tego komponentu w częściach elektronicznych.
ID produktu: 11490
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor FDD5614P typu SMD, zaprojektowany w obudowie TO-252, charakteryzuje się napięciem pracy do 60V oraz prądem drenu 15A. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w częściach elektronicznych, znajduje zastosowanie w zasilaczach impulsowych, przetwornicach DC/DC oraz w sterowaniu silnikami. Wysoka efektywność przełączania oraz niska rezystancja kanału on-state zwiększają wydajność aplikacji, w których jest wykorzystywany.
ID produktu: 12218
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRLR3410 typu SMD, z obudową TO-252 D-PAK, charakteryzuje się niskim napięciem progowym oraz wysoką zdolnością przenoszenia prądu. Jego parametry pozwalają na efektywną pracę w zaawansowanych układach elektronicznych, gdzie kluczowe jest zarządzanie mocą. Współpracuje z szerokim spektrum części elektronicznych, co ułatwia integrację z różnorodnymi modułami. Specyfikacja techniczna obejmuje m.in. maksymalne napięcie drenu-źródła (Vds), prąd drenu (Id) oraz rezystancję w stanie przewodzenia (Rds(on)).
ID produktu: 12219
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor MD1803DFH, w obudowie TO-220F, charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 100V oraz prądem kolektora IC o wartości do 4A. Urządzenie to, należące do grupy części elektronicznych, jest wykorzystywane głównie w aplikacjach przełączających i w układach regulacji mocy. Jego parametry termiczne pozwalają na efektywne rozpraszanie ciepła, co jest kluczowe w zastosowaniach o wysokim obciążeniu.
ID produktu: 12220
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor P2504BDG, w obudowie SMD typu TO-252, charakteryzuje się napięciem pracy do 40V oraz prądem drenu Id(max) wynoszącym 50A. Zaprojektowany dla aplikacji o wysokiej wydajności, znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych. Współczynnik RDS(on) tego komponentu jest niski, co przekłada się na efektywność energetyczną w obwodach, gdzie jest implementowany. Dla osób poszukujących specyficznych części elektronicznych, P2504BDG stanowi istotny element w projektowaniu układów zasilania.
ID produktu: 12221
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 12222
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor RD16HHF1, produkowany przez Mitsubishi, wykonany jest w metalowej obudowie TO-220, zapewniającej doskonałą dysypację ciepła. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 16V oraz prądem kolektora IC o wartości 30A. Dedykowany dla aplikacji RF do 30MHz, wyróżnia się niską impedancją wyjściową oraz wysoką efektywnością. W ofercie dostępne są również inne części elektroniczne.
ID produktu: 12223
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor RJK2017 w obudowie PLASTIC (TO-220F) charakteryzuje się napięciem drenu-source V_DS=200V, prądem drenu I_D=15A oraz niską rezystancją w stanie przewodzenia R_DS(on)=0.14?. Przeznaczony do zastosowań w przetwornicach DC/DC, UPS oraz innych urządzeniach wymagających efektywnego przełączania. W celu zapoznania się z szerszą ofertą części elektronicznych zapraszamy do naszego sklepu.
ID produktu: 12224
Stan magazynowy: w magazynie
Model RJP63F3, w obudowie PLASTIC TO-220F, jest wysokonapięciowym tranzystorem typu N-MOSFET. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 630V oraz prądem drenu ID o maksymalnej wartości 35A. Jego główną aplikacją są przetwornice DC/DC oraz zasilacze impulsowe. Dostępność części elektronicznych znacząco wpływa na łatwość implementacji w różnorodnych projektach.