Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 12917
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2N5457, zamknięty w obudowie TO-92, jest elementem półprzewodnikowym JFET o charakterystyce n-kanalowej, przeznaczonym do zastosowań jako bufor lub wzmacniacz sygnałów o niskiej mocy. Ze względu na swoją konstrukcję, umożliwia pracę w szerokim zakresie temperatur. Specyfikacja techniczna uwzględnia niski poziom szumów oraz umiarkowaną impedancję wejściową, co predysponuje go do zastosowań w precyzyjnych układach audio oraz w innych częściach elektronicznych, gdzie stabilność parametrów jest kluczowa.
ID produktu: 12918
Stan magazynowy: w magazynie
Para komplementarna tranzystorów bipolarnych 2SB1587 (PNP) i 2SD2438 (NPN) charakteryzuje się wysoką mocą wyjściową oraz niskim napięciem nasycenia. Wysoka szybkość przełączania oraz stabilność termiczna sprawiają, że znajdują zastosowanie w zaawansowanych aplikacjach audio. Dedykowane do pracy w układach wzmacniaczy mocy, gdzie precyzyjna kontrola prądu jest kluczowa. Elementy te są często wybierane przez projektantów części elektronicznych do tworzenia efektywnych rozwiązań w systemach audio o wysokiej jakości dźwięku.
ID produktu: 12919
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Para komplementarna tranzystorów PNP i NPN o symbolach 2SB778 oraz 2SD998, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 80V oraz prądem kolektora IC do 3A. Znajdują zastosowanie w aplikacjach audio o wysokiej mocy. Dedykowane do pracy w układach wzmacniaczy mocy, generatorów, a także w innych częściach elektronicznych wymagających par komplementarnych.
ID produktu: 12920
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SC2873, wykonany w technologii SMD i zamknięty w obudowie SOT-89, charakteryzuje się bipolarnym tranzystorem NPN. Przeznaczony do zastosowań o średniej mocy, zapewnia maksymalne napięcie kolektora-emitera (Vce) wynoszące 160V oraz maksymalny prąd kolektora (Ic) do 1A. Jego zastosowanie znajduje się w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w układach wzmacniających i przełączających.
ID produktu: 12921
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SC3203, należący do obudowy TO-92, jest bipolarnym tranzystorem NPN o niskiej mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora-emitera (Vce) wynoszącym 30 V oraz prądem kolektora (Ic) do 500 mA. Urządzenie to znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach wzmacniaczy sygnału oraz przełącznikach niskiej mocy.
ID produktu: 12922
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Tranzystor 2SD2438, w obudowie PLASTIC TO-3PF, charakteryzuje się parametrami pracy dopasowanymi do zastosowań w układach o dużej mocy. Jego główne cechy to wysoka prędkość przełączania oraz niska rezystancja w stanie nasycenia, co zapewnia efektywną pracę w aplikacjach przemysłowych. Dostępny w ofercie części elektronicznych Impelshop, jest komponentem przeznaczonym do zaawansowanych zastosowań w elektronice mocy.
ID produktu: 12923
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SD526, bipolarny, typu NPN, zamknięty w obudowie METAL (TO-220), przeznaczony do zastosowań w układach wzmacniających i przełączających. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 80V oraz maksymalnym prądem kolektora IC równym 4A. Dedykowany dla części elektronicznych, wymaga precyzyjnej integracji w układach o wysokiej wydajności.
ID produktu: 12924
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2847, w obudowie TO-3PN, jest elementem półprzewodnikowym typu N-MOSFET, przeznaczonym do zastosowań w układach mocy. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID do 12A. Dzięki niskiej rezystancji kanału w stanie przewodzenia, minimalizuje straty mocy, co jest kluczowe w aplikacjach o wysokiej efektywności energetycznej. Dostępność w szerokim zakresie temperatur pracy od -55°C do 150°C umożliwia zastosowanie w różnorodnych środowiskach operacyjnych. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajdziesz na stronie.
ID produktu: 12927
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 40NF10 METAL, z obudową TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 100V oraz prądem drenu ID do 40A przy VGS=10V. Oferuje niską rezystancję kanału RDS(on), co przekłada się na efektywność w aplikacjach przełączających. Wśród części elektronicznych, wyróżnia się zdolnością do pracy w szerokim zakresie temperatur. Idealnie nadaje się do zastosowań w przetwornicach, regulatorach napięcia oraz systemach zarządzania energią.
ID produktu: 12928
Stan magazynowy: w magazynie