Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 12830
Stan magazynowy: w magazynie
Model RJH30H1, zrealizowany w obudowie TO-220F, to tranzystor IGBT przeznaczony do zastosowań w układach przekształtnikowych o wysokiej częstotliwości. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz szybkim czasem przełączania, co czyni go odpowiednim dla efektywnych aplikacji energetycznych. W kontekście części elektronicznych, ten komponent wykazuje znaczną tolerancję na przeciążenia, co przekłada się na jego niezawodność w trudnych warunkach pracy.
ID produktu: 12831
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor RN1404, zintegrowany w obudowie S-MINI, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz małą stratą mocy. Przeznaczony do aplikacji przełączających, urządzenie to znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach sterowania. Posiada konfigurację NPN, co umożliwia efektywną pracę w szerokim zakresie temperatur.
ID produktu: 12835
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor STGW30NC60WD, w obudowie TO-247, to wysokowydajny komponent przeznaczony do zastosowań w zaawansowanych układach elektronicznych. Charakteryzujący się napięciem pracy do 600V oraz prądem ciągłym kolektora do 30A, znajduje zastosowanie w konwerterach częstotliwości, zasilaczach impulsowych oraz innych urządzeniach wymagających efektywnej komutacji. Dostępny w ofercie części elektronicznych.
ID produktu: 12837
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor TK6P60V SMD, z obudową TO-252, jest elementem półprzewodnikowym przeznaczonym do zastosowań w układach elektronicznych wymagających efektywnej regulacji przepływu prądu. Charakteryzuje się napięciem pracy do 600V oraz prądem drenu do 6A, co czyni go odpowiednim do zastosowań w przetwornicach mocy, zasilaczach impulsowych oraz innych częściach elektronicznych o podwyższonych wymaganiach termicznych i elektrycznych.
ID produktu: 12900
Stan magazynowy: w magazynie
Model 11P06 to tranzystor typu MOSFET P-Channel, zaprojektowany do montażu powierzchniowego w obudowie TO-252. Charakteryzuje się napięciem pracy VDS do -60V oraz prądem ciągłym drenu ID do -11A. Znajduje zastosowanie w przetwornicach, regulacji mocy oraz w systemach zarządzania częściami elektronicznymi. Jego parametry termiczne i elektryczne są dostosowane do pracy w szerokim zakresie temperatur.
ID produktu: 9933
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SA1145, w obudowie TO-92, to półprzewodnikowy element wykonany w technologii PNP, przeznaczony do zastosowań w niskoszumnych wzmacniaczach audio oraz w obwodach przełączających. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia i wysoką prędkością przełączania. Dostępny wśród części elektronicznych dedykowany jest dla urządzeń wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur.
ID produktu: 12899
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SA2120, z obudową typu TO-3P, charakteryzuje się wysoką mocą wyjściową. Jako element półprzewodnikowy PNP, znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach audio. Oferuje niski poziom szumów oraz wysoką szybkość przełączania. W częściach elektronicznych wykorzystywany jest często do zwiększania wydajności systemów wzmacniających.
ID produktu: 12936
Stan magazynowy: w magazynie
Model 10N120BND, zintegrowany w obudowie TO-247, charakteryzuje się wysoką mocą oraz efektywnością w przetwarzaniu sygnałów. Urządzenie to, należące do kluczowych części elektronicznych, operuje w zakresie wysokich napięć, co predysponuje go do zastosowań w zaawansowanych systemach energoelektronicznych. Parametry elektryczne tego tranzystora umożliwiają precyzyjną kontrolę przepływu prądu, co jest istotne w aplikacjach wymagających niezawodności i stabilności działania.
ID produktu: 12915
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 12935
Stan magazynowy: w magazynie
Model 11N120CND, tranzystor w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem pracy do 1200 V oraz prądem kolektora do 11 A. Dedykowany do zastosowań w wysokonapięciowych układach zasilających, oferuje niskie VCE(sat) przy zachowaniu efektywności przełączania. Części elektroniczne tego typu znajdują zastosowanie w przekształtnikach częstotliwości, zasilaczach impulsowych oraz innych aplikacjach wymagających stabilności termicznej i elektrycznej.