Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 12932
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BD650, w obudowie metalowej TO-220, charakteryzuje się bipolarną strukturą NPN. Przeznaczony do zastosowań w układach wzmacniacza mocy oraz w przetwornicach. Maksymalne napięcie kolektora-emitera wynosi 80V, a maksymalny prąd kolektora to 5A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w systemach audio i zasilających.
ID produktu: 12934
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor GT60N321, zamknięty w obudowie TO-247, jest wysokonapięciowym tranzystorem IGBT charakteryzującym się napięciem kolektora do emitera wynoszącym 1000 V oraz prądem kolektora do 60 A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach przekształtnikowych i sterownikach mocy, gdzie wymagana jest wysoka efektywność i niezawodność. Dzięki swojej konstrukcji, GT60N321 zapewnia optymalizację parametrów dynamicznych oraz termicznych, co jest kluczowe w aplikacjach o wysokiej gęstości mocy. Wspomniane części elektroniczne są niezbędne w projektowaniu nowoczesnych systemów energoelektronicznych.
ID produktu: 12937
Stan magazynowy: w magazynie
Model IPS031S, realizowany w obudowie D2-PAK, to tranzystor MOSFET typu N, zaprojektowany do zastosowań wymagających wysokiej efektywności przełączania. Charakteryzuje się niską rezystancją kanału oraz wysoką zdolnością do przewodzenia prądu. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum urządzeń elektronicznych, od zasilaczy po systemy sterowania silnikami. W kontekście części elektronicznych, IPS031S jest wyborem dla projektantów poszukujących niezawodności i wydajności.
ID produktu: 8899
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 12938
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRG4PC40S (G4PC40S) w obudowie TO-247 to półprzewodnikowy element przełączający, charakteryzujący się napięciem pracy do 600V oraz prądem kolektora do 40A. Wykorzystywany głównie w aplikacjach wysokonapięciowych, takich jak przetwornice częstotliwości, zapewnia efektywne zarządzanie energią w układach zasilających. Dostępny jest w ofercie części elektronicznych.
ID produktu: 12939
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRGP4063D, wykonany w obudowie TO-247, dedykowany jest do zastosowań w zaawansowanych układach przekształtników częstotliwości oraz innych aplikacji wymagających wysokiej wydajności. Charakteryzuje się napięciem przebicia VCES wynoszącym 600V oraz prądem kolektora IC o wartości do 96A. Dzięki niskiemu współczynnikowi RDS(on), minimalizuje straty mocy, co jest kluczowe w efektywności energetycznej części elektronicznych. Produkt znajduje zastosowanie w szerokim spektrum urządzeń elektronicznych, od zasilaczy po zaawansowane systemy inwerterów.
ID produktu: 12940
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRGP4068D, z obudową TO-247, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID do 96A przy TC=25°C. Urządzenie zapewnia niskie RDS(on), co przekłada się na zwiększoną efektywność energetyczną. Wysoka szybkość przełączania i zintegrowana dioda Schottky'ego to kluczowe cechy tego komponentu. Znajdź więcej części elektronicznych dla swoich projektów.
ID produktu: 12941
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IXTH88N30P, w obudowie TO-247, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 300V oraz prądem drenu ID na poziomie 88A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykazuje niską rezystancję w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na efektywność w aplikacjach wymagających wysokiej mocy. Specyfikacja obejmuje także maksymalną moc strat PD oraz parametry związane z czasem włączania i wyłączania.
ID produktu: 12942
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor MJ14003, wykonany w obudowie metalowej TO-3, charakteryzuje się niskim nasyceniem napięciowym oraz wysoką mocą. Przeznaczony do zastosowań w układach regulacji mocy, przetwornicach i innych aplikacjach wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur. Dostępność części elektronicznych na rynku umożliwia integrację z różnorodnymi układami.
ID produktu: 12943
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor STGW38IH130D, z obudową typu TO-247, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCE wynoszącym 1300V oraz prądem kolektora IC o wartości 38A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, jest zaprojektowane do zastosowań w wysokonapięciowych układach przekształtników częstotliwości oraz innych aplikacjach wymagających szybkiego przełączania.