Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 11256
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BDX44C, bipolarny, typu PNP, przeznaczony do stosowania w aplikacjach o dużym obciążeniu prądowym, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO równym 100V oraz maksymalnym prądem kolektora IC wynoszącym 6A. Dzięki konstrukcji w obudowie TO-220, zapewnia efektywną dystrybucję ciepła. Idealny dla zaawansowanych części elektronicznych w zasilaczach, przetwornicach oraz innych urządzeniach sterujących mocą.
ID produktu: 11257
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BDX86, bipolarny, typu NPN, przeznaczony do zastosowań w układach wzmacniających i przełączających, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 80V oraz maksymalnym prądem kolektora IC równym 4A. Jego obudowa TO-220 zapewnia efektywne odprowadzanie ciepła. W kontekście części elektronicznych, BDX86 znajduje szerokie zastosowanie w zasilaczach, inwerterach oraz innych urządzeniach wymagających stabilnego sterowania mocą.
ID produktu: 11258
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BU2520DW, bipolarny, o strukturze NPN, przeznaczony do zastosowań w wysokonapięciowych układach przełączających. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO równym 1500V oraz maksymalnym prądem kolektora IC wynoszącym 8A. Jego specyfikacja obejmuje także niską rezystancję nasycenia oraz szybki czas wyłączania, co ułatwia efektywne zarządzanie mocą w zaawansowanych częściach elektronicznych.
ID produktu: 11259
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BU508AX, należący do kategorii części elektronicznych, to półprzewodnikowy element wykonawczy o wysokiej mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 700V oraz prądem kolektora IC maksymalnie 8A. Jego zastosowanie znajduje głównie w układach przetwornic wysokiej częstotliwości oraz w aplikacjach przemysłowych. Specyfika BU508AX obejmuje także zintegrowaną diodę Dampera, co ułatwia obsługę dużych transjentów napięciowych.
ID produktu: 11260
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUZ12A, zaprojektowany w obudowie TO-220, jest elementem półprzewodnikowym typu N-MOSFET, przeznaczonym do zastosowań w układach przełączających o wysokiej częstotliwości. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 50V oraz prądem drenu ID do 30A. Urządzenie to, dzięki swojej konstrukcji, oferuje niską rezystancję w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na zwiększoną efektywność energetyczną w aplikacjach. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych BUZ12A stanowi optymalny wybór do zasilaczy impulsowych, sterowania silnikami oraz innych aplikacji wymagających szybkiego przełączania.
ID produktu: 11261
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUZ21, z obudową TO-220, to element półprzewodnikowy MOSFET typu N, przeznaczony do pracy w układach o wysokiej częstotliwości i mocy. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 500V, prądem drenu ID do 19A oraz niską rezystancją kanału RDS(on). Zastosowanie znajduje w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz w obszarze sterowania silnikami. Dla specjalistów poszukujących specyfikacji i dodatkowych [części elektronicznych](https://www.impelshop.com/) dostępnych jest szeroki wybór komponentów.
ID produktu: 11262
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Model DAT1018P, to tranzystor typu PNP, charakteryzujący się napięciem kolektora do emitera (Vce) wynoszącym 18V oraz prądem kolektora (Ic) do 1A. Posiada niską rezystancję w stanie nasycenia, co umożliwia efektywną pracę w obwodach przełączających. Dedykowany dla aplikacji niskonapięciowych, wykorzystywany jest w układach sterowania, przetwornicach oraz jako element interfejsu w zaawansowanych częściach elektronicznych.
ID produktu: 11263
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor DTC144, wykonany w technologii NPN, charakteryzuje się obudową typu SOT-23, co zapewnia jego kompaktowe wymiary. Przeznaczony do zastosowań jako przełącznik, posiada wbudowany rezystor bazowy, co upraszcza projektowanie układów. Maksymalne napięcie kolektora do emitera wynosi 50V, a prąd kolektora jest ograniczony do 100mA. Dla uzupełnienia projektów związanych z częściami elektronicznymi, DTC144 oferuje stabilne parametry przy różnych warunkach pracy.
ID produktu: 11265
Stan magazynowy: w magazynie
Model GT35J321, w obudowie TO-3PF, to tranzystor mocy IGBT, przeznaczony do zastosowań w wysokonapięciowych układach przekształtnikowych. Charakteryzuje się wysoką zdolnością do przenoszenia prądu przy niskich stratach przełączania. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, od zasilaczy po systemy napędowe.
ID produktu: 8642
Stan magazynowy: w magazynie
Model IRF1010ZS, realizowany w obudowie D2PAK, jest tranzystorem polowym typu N-MOSFET, zaprojektowanym do pracy w układach SMD. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na efektywność w aplikacjach o wysokim natężeniu prądu. Próg napięcia VGS umożliwia precyzyjne sterowanie. Dedykowany dla zaawansowanych części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zasilaczach, przetwornicach oraz innych układach wymagających efektywnego przełączania.