Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 11266
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRF9130, należący do rodziny P-channel MOSFET, charakteryzuje się napięciem pracy -100V oraz prądem drenu -14A. Urządzenie to, zaprojektowane z myślą o aplikacjach o wysokiej wydajności, znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach przetwarzania energii. Odwrotna pojemność bramki wynosi 1400pF, co wskazuje na jego zdolność do szybkiego przełączania. Dostępność tych części elektronicznych ułatwia integrację w projektach wymagających niezawodności i efektywności.
ID produktu: 11267
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRF9230 METAL (TO-3), będący elementem półprzewodnikowym typu P-MOSFET, charakteryzuje się zdolnością do pracy w obwodach o wysokim napięciu. Urządzenie to, zaprojektowane w obudowie TO-3, oferuje doskonałą wydajność termiczną. Jego główne parametry to maksymalne napięcie dren-źródło wynoszące -200V oraz prąd drenu -6.5A. Dostępne części elektroniczne w naszej ofercie obejmują szeroki zakres komponentów do zastosowań w elektronice mocy.
ID produktu: 11269
Stan magazynowy: w magazynie
IRLB8748 METAL, tranzystor typu MOSFET z obudową TO-220, charakteryzuje się napięciem przebicia Vds wynoszącym 30V oraz prądem drenu Id do 78A. Urządzenie oferuje niską rezystancję kanału Rds(on) na poziomie 8.7m?, co zapewnia efektywną pracę w aplikacjach o wysokim natężeniu prądu. Znajduje zastosowanie w szerokiej gamie części elektronicznych, w tym w systemach zasilania, przetwornicach oraz sterownikach silników.
ID produktu: 11270
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor MJE13006, zamknięty w obudowie TO-220, jest elementem półprzewodnikowym typu NPN o maksymalnym napięciu kolektora-emitera wynoszącym 400V oraz maksymalnym prądzie kolektora 4A. Charakteryzuje się zdolnością do pracy w wysokich temperaturach i jest często stosowany w zasilaczach impulsowych. Dla projektantów części elektronicznych stanowi kluczowy komponent w układach przetwarzania energii.
ID produktu: 8691
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor bipolarny MJE15024, zaprojektowany w obudowie metalowej TO-220, charakteryzuje się wysokim napięciem kolektora do emitera (VCEO) wynoszącym 250V oraz prądem kolektora (IC) do 8A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji, w tym w układach przetwarzania mocy. Dostępność części elektronicznych na rynku umożliwia łatwą integrację z różnorodnymi układami.
ID produktu: 11271
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor MJL1302AG, z obudową TO-264, dedykowany jest do zastosowań w układach audio o wysokiej mocy. Charakteryzuje się niskim współczynnikiem nasycenia i wysoką prędkością przełączania. Parametry te pozwalają na efektywne sterowanie prądami o dużym natężeniu. W kontekście części elektronicznych, MJL1302AG wyróżnia się stabilnością termiczną, co jest kluczowe w aplikacjach wymagających niezawodności w szerokim zakresie temperatur.
ID produktu: 11272
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor MN15N-NY, charakteryzujący się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką częstotliwością pracy, jest komponentem wiodącym w aplikacjach wymagających precyzyjnej kontroli prądu. Jego parametry pozwalają na efektywne zarządzanie mocą w zaawansowanych układach elektronicznych. Dzięki zastosowaniu innowacyjnych materiałów półprzewodnikowych, MN15N-NY wyróżnia się długotrwałą stabilnością pracy. Idealnie nadaje się do zastosowań w częściach elektronicznych, gdzie niezawodność jest kluczowa.
ID produktu: 11273
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor MPSA94, w obudowie TO-92, jest wysokonapięciowym tranzystorem PNP, przeznaczonym do zastosowań w układach o dużym napięciu. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 300V oraz napięciem kolektora-bazy VCBO na poziomie 400V. Dopuszczalny prąd kolektora IC osiąga wartość do 500mA. Tranzystor ten znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach wzmacniających i przełączających.
ID produktu: 11274
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor RJK0305DPB, realizowany w obudowie LFPAK o typie montażu SMD, charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia oraz wysoką wydajnością prądową. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w częściach elektronicznych, zapewnia efektywną komutację w aplikacjach o wysokiej częstotliwości, co czyni go odpowiednim dla zaawansowanych systemów zarządzania energią.
ID produktu: 11275
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor RJP30E2, wykonany w obudowie PLASTIC (TO-220F), charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 360V oraz prądem kolektora IC o wartości 30A. Urządzenie to, dedykowane dla wysokonapięciowych aplikacji przełączających, wykazuje także niskie nasycenie napięcia VCE(sat), co zwiększa jego efektywność w układach zasilających. Dostępność tych części elektronicznych umożliwia implementację w zaawansowanych projektach elektronicznych.