ID produktu: 11214
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Model 20NK50Z, znany również jako P20NK50Z, to tranzystor MOSFET typu N, który cechuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS na poziomie 500V oraz prądem drenu ID wynoszącym do 20A. Zapakowany w obudowę TO-220, gwarantuje efektywny rozpraszanie ciepła. Tranzystor ten znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji, w tym w zasilaczach impulsowych, przekształtnikach oraz innych urządzeniach elektronicznych wymagających efektywnej kontroli mocy. Więcej informacji o częściach elektronicznych dostępnych w naszej ofercie.
ID produktu: 11215
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 20NM50 METAL (P20NM50) w obudowie TO-220 charakteryzuje się napięciem dren-źródło Vds=500V, prądem drenu Id=20A oraz typową rezystancją kanału Rds(on)=0.135?. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz innych aplikacjach wymagających efektywnego przełączania.
ID produktu: 11216
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor P20NM60, wykonany w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem przewodzenia do 600V oraz prądem drenu 20A. Urządzenie to, będące kluczowym elementem w układach przełączających, znajduje zastosowanie w szerokim spektrum aplikacji przemysłowych. Dzięki technologii METAL, tranzystor ten zapewnia wysoką efektywność i niezawodność. Szczegółowe dane techniczne oraz aplikacyjne dostępne są dla części elektronicznych na stronie dystrybutora.
ID produktu: 11217
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 20R1203 (H20R1203) w obudowie TO-247 charakteryzuje się wysoką zdolnością do przewodzenia prądu przy jednocześnie niskiej rezystancji stanu otwartego. Urządzenie to, będące kluczowym elementem w zaawansowanych układach zasilających, pozwala na efektywną kontrolę przepływu energii elektrycznej. Specyfika tego półprzewodnika umożliwia jego zastosowanie w szerokim zakresie temperatur, co czyni go odpowiednim do pracy w ekstremalnych warunkach. Dzięki precyzyjnej budowie, części elektroniczne takie jak ten tranzystor, znajdują zastosowanie w aplikacjach wymagających niezawodności i długotrwałej wydajności.
ID produktu: 11219
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 11220
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SA1516, z obudową TO-3PN, jest półprzewodnikowym elementem wykonawczym o charakterystyce PNP, przeznaczonym do zastosowań w układach o wysokiej mocy. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 160V oraz maksymalnym prądem kolektora IC dochodzącym do 15A. Jego zastosowanie znajduje w szerokim zakresie urządzeń elektronicznych, w tym w układach wzmacniaczy audio. Dostępność części elektronicznych takich jak 2SA1516 pozwala na efektywną naprawę lub konstrukcję nowych urządzeń.
ID produktu: 11221
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SA1815, w obudowie SMD typu SOT-23, to półprzewodnikowy element aktywny typu PNP, charakteryzujący się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką szybkością przełączania. Przeznaczony głównie do zastosowań w układach wzmacniaczy sygnału oraz sterowania w urządzeniach elektronicznych. Dzięki swojej miniaturowej obudowie, jest idealnym rozwiązaniem dla części elektronicznych o ograniczonej przestrzeni montażowej.
ID produktu: 11222
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SA1939, zaprojektowany w obudowie TO-3PN, charakteryzuje się parametrami takimi jak maksymalne napięcie kolektor-emiter wynoszące -230V oraz maksymalny prąd kolektora -15A. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w wielu częściach elektronicznych, znajduje zastosowanie głównie w układach wzmacniaczy audio o wysokiej mocy.
ID produktu: 11223
Stan magazynowy: w magazynie
Para komplementarna tranzystorów mocy 2SA1941 oraz 2SC5198, zamknięta w obudowie TO-3PN, dedykowana jest do aplikacji audio o wysokiej wydajności. Charakteryzując się wysoką mocą wyjściową oraz niskim współczynnikiem zniekształceń, stanowią kluczowe części elektroniczne w zaawansowanych układach wzmacniaczy mocy. Parametry takie jak maksymalne napięcie kolektora-emitera, prąd kolektora oraz moc rozpraszania, są dostosowane do pracy w wymagających środowiskach termicznych.
ID produktu: 11225
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SA2005, w obudowie PLASTIC TO-220F, jest bipolarnym tranzystorem PNP, przeznaczonym do zastosowań o średniej mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym -60V oraz prądem kolektora IC do -3A. Dedykowany dla szerokiego spektrum aplikacji, od wzmacniaczy audio po zasilacze impulsowe. Dostępny w [częściach elektronicznych] ImpelShop.