Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 12816
Stan magazynowy: w magazynie
Model IRG4PC40W, znany również jako G4PC40W, to tranzystor IGBT zaprojektowany w obudowie TO-247, przeznaczony do zastosowań w przekształtnikach wysokiej mocy. Charakteryzuje się napięciem przebicia VCE wynoszącym 600V oraz prądem kolektora IC do 40A przy TC=25°C. Urządzenie to, będące kluczowym komponentem w układach elektronicznych wysokiej mocy, znajduje zastosowanie głównie w systemach sterowania silnikami, przekształtnikach częstotliwości oraz w aplikacjach związanych z energią odnawialną. Wspomniane części elektroniczne są niezbędne do budowy zaawansowanych systemów elektronicznych.
ID produktu: 12817
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRG4PC50K, znany również jako G4PC50K, to element półprzewodnikowy w obudowie TO-247, przeznaczony do zastosowań w układach wysokiej mocy. Charakteryzuje się napięciem przebicia Vces wynoszącym 600V oraz prądem kolektora Ic równym 55A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych, takich jak przetwornice częstotliwości czy systemy zasilania. Dzięki swojej konstrukcji, tranzystor ten oferuje wysoką efektywność przy jednoczesnym zachowaniu kompaktowych wymiarów.
ID produktu: 12819
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRG4PC50W (G4PC50W) w obudowie TO-247 to półprzewodnikowy element przełączający, wykorzystujący technologię IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), zapewniającą wysoką wydajność przy napięciach do 600V. Charakteryzuje się niskimi stratami przełączania i jest dedykowany do zastosowań w zaawansowanych układach przekształtnikowych. Dostępny wśród części elektronicznych, idealnie nadaje się do aplikacji wymagających efektywnej kontroli mocy.
ID produktu: 12820
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRG4PH50K (G4PH50H), w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem przebicia Vces wynoszącym 1200V oraz prądem kolektora Ic równym 45A. Wysoka szybkość przełączania oraz niska rezystancja w stanie przewodzenia, sprawiają, że znajduje zastosowanie w zaawansowanych aplikacjach przemysłowych. Dostępny jest w ofercie części elektronicznych.
ID produktu: 12821
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 12822
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRGP30B120KD-E, w obudowie TO-247, jest elementem półprzewodnikowym, przeznaczonym do zastosowań w zaawansowanych układach elektronicznych. Charakteryzuje się napięciem pracy do 1200V oraz prądem kolektora do 30A, co umożliwia jego wykorzystanie w wysokonapięciowych aplikacjach przemysłowych. Dzięki zastosowaniu technologii IGBT, tranzystor ten oferuje optymalizację szybkości przełączania przy zachowaniu niskich strat mocy. Współpraca z częściami elektronicznymi o podobnych parametrach pozwala na budowę efektywnych systemów energetycznych.
ID produktu: 12826
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor MJ14001, bipolarny, o konfiguracji NPN, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 400V oraz maksymalnym prądem kolektora IC do 20A. Urządzenie zaprojektowano do zastosowań w układach o dużej mocy. Dla zainteresowanych częściami elektronicznymi, MJ14001 oferuje także niski współczynnik nasycenia, co pozwala na efektywniejszą pracę w układach przełączających.
ID produktu: 12827
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor MPS2222A, w obudowie TO-92, jest bipolarnym tranzystorem NPN o maksymalnym napięciu kolektora-emitera wynoszącym 40V oraz prądzie kolektora do 600mA. Charakteryzuje się wzmocnieniem prądowym (hFE) w zakresie 100-300 przy 10mA. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, od wzmacniaczy audio po przełączniki cyfrowe.
ID produktu: 12828
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor MPS2907A, w obudowie TO-92, jest bipolarnym tranzystorem PNP, przeznaczonym do zastosowań ogólnego przeznaczenia. Charakteryzuje się napięciem kolektor-emiter VCEO wynoszącym 60V oraz prądem kolektora IC o wartości do 600mA. Dedykowany dla układów wzmacniaczy i przełączników, znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych. Parametry graniczne oraz charakterystyka przejściowa pozwalają na efektywną pracę w różnorodnych konfiguracjach obwodów.
ID produktu: 12829
Stan magazynowy: w magazynie
Model RFN20, zaprojektowany w obudowie TO-220F, jest tranzystorem typu NPN, który charakteryzuje się zdolnością do pracy w zakresie wysokich częstotliwości. Dzięki zastosowaniu technologii PLASTIC, urządzenie zapewnia doskonałą wydajność termiczną oraz niezawodność w aplikacjach wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur. W kontekście części elektronicznych, RFN20 znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach przełączających, oferując niskie Vce(sat) oraz umiarkowaną szybkość przełączania.