Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 8632
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Tranzystor HPA100, bipolarny, o wysokiej mocy, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz dużą prędkością przełączania. Przeznaczony do zastosowań w układach wzmacniających i przełączających, zapewnia efektywną kontrolę przepływu prądu. Dostępny w obudowie TO-220, umożliwia łatwą integrację z częściami elektronicznymi. Parametry graniczne określają maksymalne napięcie kolektora na poziomie 100V oraz maksymalny prąd kolektora wynoszący 5A.
ID produktu: 8633
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 8636
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor ICP-N20, charakteryzujący się niskim napięciem przebicia oraz wysoką częstotliwością pracy, jest elementem półprzewodnikowym typu NPN. Wykorzystywany głównie w układach przełączających i wzmacniaczach niskoszumowych, znajduje zastosowanie w zaawansowanych częściach elektronicznych. Parametry takie jak maksymalna moc rozpraszana oraz dopuszczalny prąd kolektora definiują jego obszar aplikacji.
ID produktu: 8637
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor ICP-N25, charakteryzujący się napięciem przebicia BVceo wynoszącym 250V oraz prądem kolektora Ic maksymalnym na poziomie 1.5A, jest elementem półprzewodnikowym typu NPN. Wysoka częstotliwość pracy oraz niska rezystancja nasycenia sprawiają, że znajduje zastosowanie w zaawansowanych układach elektronicznych. Dostępność części elektronicznych umożliwia szybką integrację z projektami. Jego obudowa TO-220 zapewnia efektywne odprowadzanie ciepła, co jest kluczowe dla stabilności termicznej w aplikacjach o wysokiej mocy.
ID produktu: 8638
Stan magazynowy: w magazynie
Model ICP-N38, tranzystor bipolarny NPN, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 100V oraz prądem kolektora IC do 2A. Zastosowanie w układach przełączających i wzmacniaczach audio. Dla optymalizacji parametrów pracy, zalecane jest stosowanie w temperaturze od -55°C do +150°C. Szczegóły dotyczące części elektronicznych znajdują się w specyfikacji technicznej.
ID produktu: 8639
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor ICP-N50, będący elementem półprzewodnikowym, charakteryzuje się napięciem przebicia BVceo wynoszącym 50V oraz prądem kolektora Ic równym 3A. Jego zastosowanie znajduje odzwierciedlenie w układach przełączających i wzmacniaczach audio. Dopełnieniem specyfikacji jest obudowa TO-220, która ułatwia montaż na płytce drukowanej. W kontekście części elektronicznych, ICP-N50 wyróżnia się stabilnością termiczną i niskim nasyceniem napięciowym Vce(sat).
ID produktu: 8641
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor ICP-N75, charakteryzujący się bipolarnym typem przewodzenia, zapewnia stabilne parametry przy prądzie kolektora do 1A. Z uwagi na napięcie przebicia kolektor-emiter wynoszące 75V, znajduje zastosowanie w układach o średnim napięciu. Dedykowany dla aplikacji wymagających niezawodnej komutacji, jest często wybierany w częściach elektronicznych do regulacji mocy lub jako element wzmacniający sygnał. Obudowa TO-220 zapewnia efektywny rozpraszanie ciepła.
ID produktu: 8073
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IMX1 PIONEER, zaliczany do półprzewodnikowych części elektronicznych, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką częstotliwością przełączania. Projektowany głównie do zastosowań w układach sterowania, gdzie wymagana jest precyzyjna regulacja prądu. Wykonany w technologii bipolarnej, zapewnia stabilną pracę w szerokim zakresie temperatur.
ID produktu: 8643
Stan magazynowy: w magazynie
IRF1404, tranzystor MOSFET typu N, charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia RDS(on) oraz wysokim prądem drenu ID, osiągającym do 202A. Obudowa TO-220 zapewnia efektywne odprowadzanie ciepła. Urządzenie znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji mocy, od zasilaczy po przetwornice częstotliwości. Dostępne w ofercie części elektroniczne umożliwiają integrację z różnorodnymi układami.
ID produktu: 8644
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRF3205 w obudowie METAL (TO-220) charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 55V, prądem drenu ID do 110A przy VGS = 10V, i niską rezystancją kanału RDS(on) wynoszącą 8m?. Wysoka efektywność i szybkość przełączania czynią go odpowiednim dla zastosowań w wysokowydajnych przetwornicach. Dostęp do części elektronicznych ułatwia integrację w zaawansowanych projektach.