Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 10371
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRF1407 w obudowie METAL (TO-220) to komponent przeznaczony do zastosowań w wysokowydajnych układach przełączających. Charakteryzujący się niskim napięciem progowym oraz wysoką odpornością termiczną, znajduje zastosowanie w zaawansowanych systemach zasilania. Dzięki swojej konstrukcji, umożliwia efektywne rozpraszanie ciepła, co jest kluczowe w aplikacjach o wysokiej gęstości mocy. Wśród części elektronicznych, IRF1407 wyróżnia się wytrzymałością na duże prądy i napięcia, co sprawia, że jest preferowanym wyborem w projektach wymagających niezawodności i długotrwałej pracy.
ID produktu: 6843
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor KSP10, typu NPN, zaprojektowany w obudowie TO-92, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera (Vce) wynoszącym 25V oraz maksymalnym prądem kolektora (Ic) równym 500mA. Urządzenie to znajduje zastosowanie w szerokiej gamie części elektronicznych, w tym w układach wzmacniaczy sygnału. Parametry takie jak częstotliwość przejścia (fT) wynosząca 650MHz podkreślają jego przydatność w aplikacjach wysokoczęstotliwościowych.
ID produktu: 10854
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 11N40C METAL, należący do rodziny MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 400V oraz prądem drenu ID na poziomie 11A. Urządzenie to, wykonane w technologii metal-oksyd-półprzewodnik, zapewnia wysoką efektywność przy minimalnych stratach mocy. Zastosowanie w częściach elektronicznych wymagających stabilnej pracy w szerokim zakresie temperatur. Specyfikacja obejmuje niską rezystancję kanału w stanie przewodzenia RDS(on), co przekłada się na jego efektywność w aplikacjach przełączających.
ID produktu: 10855
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2N2219, wykonany w technologii bipolarny NPN, charakteryzuje się obudową metalową TO-39, co zapewnia doskonałą odporność termiczną i mechaniczną. Przeznaczony do zastosowań w układach przełączających i wzmacniaczach o średniej mocy. Maksymalne napięcie kolektor-emiter wynosi 30V, a prąd kolektora - do 800mA. Dla specjalistów poszukujących specyficznych części elektronicznych, 2N2219 oferuje stabilne parametry w szerokim zakresie temperatur.
ID produktu: 10856
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SA1024Y, w obudowie TO-92, jest półprzewodnikowym elementem dyskretnym typu PNP, przeznaczonym do zastosowań niskosygnałowych. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia i małą mocą strat, co czyni go odpowiednim do zastosowań w obwodach przełączających i wzmacniaczach. Dla inżynierów i projektantów poszukujących części elektronicznych, 2SA1024Y oferuje stabilne parametry w szerokim zakresie temperatur pracy.
ID produktu: 10858
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SB1370, w obudowie PLASTIC TO-220F, jest półprzewodnikowym elementem bipolarnym typu PNP, przeznaczonym do zastosowań w układach wzmacniaczy mocy i przełączników. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym -60V oraz prądem kolektora IC o wartości do -3A. Dla profesjonalistów poszukujących specyficznych części elektronicznych, 2SB1370 oferuje stabilne parametry w szerokim zakresie temperatur roboczych.
ID produktu: 8795
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SB1470, tranzystor PNP o obudowie TO-247, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym -160V oraz prądem kolektora IC do -15A. Dedykowany do aplikacji o wysokiej mocy, ten element części elektronicznych zapewnia efektywność w układach zasilających, przekształtnikach i innych systemach wymagających stabilnej regulacji mocy.
ID produktu: 10859
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SB1559, konfiguracja w obudowie TO-3PN, charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką wydajnością prądową. Jako element z rodziny PNP, znajduje zastosowanie w zaawansowanych aplikacjach audio. Dedykowany dla układów wymagających stabilnej pracy przy wysokich obciążeniach. Dostępny wśród części elektronicznych, idealny do zastosowań wymagających niezawodności i długowieczności.
ID produktu: 10860
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SB1649, bipolarny, typu PNP, przeznaczony do zastosowań w układach wzmacniaczy mocy i przetwornikach. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia oraz wysoką prędkością przełączania. Maksymalne napięcie kolektora wynosi -160V, a maksymalny prąd kolektora to -1,5A. Obudowa TO-3PF umożliwia efektywne odprowadzanie ciepła. Więcej informacji o częściach elektronicznych dostępnych w naszej ofercie.
ID produktu: 10861
Stan magazynowy: w magazynie