Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 10873
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SD1545, bipolarny, NPN, przeznaczony do zastosowań w układach przemysłowych o wysokiej mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 60V, prądem kolektora IC do 3A oraz zdolnością do pracy w szerokim zakresie temperatur. Idealny do zastosowań w układach wzmacniających i przełączających. Dostępny w obudowie TO-220AB. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajdziesz na stronie.
ID produktu: 10874
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SD2396, bipolarny tranzystor mocy NPN, zaprojektowany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 160V oraz prądem kolektora IC do 1.5A. Urządzenie to znajduje zastosowanie w różnorodnych aplikacjach wymagających efektywnej komutacji. Dostępne części elektroniczne obejmują szeroki zakres komponentów niezbędnych dla branży elektronicznej.
ID produktu: 10887
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SJ6820, tranzystor typu P-Channel MOSFET, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym -200V oraz prądem drenu ID na poziomie -12A. Próg napięcia bramki VGS(th) mieści się w zakresie -2V do -4V, co wskazuje na jego zdolność do pracy w średnionapięciowych aplikacjach. Urządzenie to znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w zasilaczach i konwerterach energii.
ID produktu: 10999
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Tranzystor 2SK1102, należący do rodziny MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 500V oraz prądem drenu ID równym 5A. Jego niskie napięcie progowe VGS(th) oraz wysoka odporność na impulsy prądowe czynią go odpowiednim dla aplikacji o wymagających parametrach. Dodatkowo, obudowa TO-3P zapewnia efektywne odprowadzanie ciepła, co jest kluczowe dla stabilności termicznej w częściach elektronicznych. Odporność termiczna złącza RthJC umożliwia pracę w szerokim zakresie temperatur.
ID produktu: 10875
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK1531, w obudowie TO-3PN, to element półprzewodnikowy N-Channel MOSFET, przeznaczony do zastosowań w układach mocy. Charakteryzuje się niską rezystancją kanału przy Vgs=10V i zdolnością do pracy przy napięciu drenu do 500V. Dedykowany dla części elektronicznych o wysokich wymaganiach stabilności i efektywności termicznej.
ID produktu: 10876
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2615 SMD, zaliczany do kategorii części elektronicznych, to element półprzewodnikowy typu N-MOSFET. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło Vds=60V, prądem drenu Id=5A oraz niską rezystancją kanału Rds(on) przy Vgs=10V. Przeznaczony do zastosowań w układach przełączających i wzmacniaczach mocy.
ID produktu: 8999
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK2698, wykorzystujący obudowę TO-3PN, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 500V oraz prądem drenu ID o wartości 20A. Urządzenie to, będące elementem z kategorii części elektronicznych, znajduje zastosowanie w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz innych aplikacjach wymagających wysokiej wydajności przełączania.
ID produktu: 10878
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK3235, wykonany w obudowie TO-247, charakteryzuje się niskim napięciem progowym, co umożliwia efektywną pracę w układach o wysokiej częstotliwości. Dedykowany dla aplikacji wymagających dużej mocy, posiada zdolność do przewodzenia znacznych prądów przy zachowaniu stabilności termicznej. W kontekście części elektronicznych, jego zastosowanie znajduje odzwierciedlenie w zaawansowanych systemach zasilania i przetwarzania energii.
ID produktu: 10879
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK3798, w obudowie PLASTIC TO-220F, charakteryzuje się niskim napięciem przebicia dren-źródło (VDSS) oraz wysoką prądowością. Przeznaczony do zastosowań w układach przetwarzania mocy, oferuje doskonałą wydajność w warunkach wysokiej częstotliwości. Dzięki swojej konstrukcji, zapewnia stabilność termiczną i elektryczną. W celu zapoznania się z szeroką gamą części elektronicznych, zachęcamy do odwiedzenia naszej strony.
ID produktu: 10880
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SK849, należący do kategorii części elektronicznych, jest elementem półprzewodnikowym MOSFET o kanale N, zaprojektowanym do zastosowań o wysokiej częstotliwości. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym i wysoką odpornością na impulsy prądowe. Jego parametry pozwalają na efektywną pracę w układach przełączających.