Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 8874
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 10863
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SC2336, w obudowie METAL (TO-220), jest bipolarnym tranzystorem NPN, przeznaczonym do zastosowań w układach przełączających i wzmacniaczy mocy. Charakteryzuje się napięciem kolektora do emitera VCEO wynoszącym 400V oraz maksymalnym prądem kolektora IC równym 1A. Dzięki swojej konstrukcji, tranzystor ten znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, układach sterowania oraz aplikacjach audio.
ID produktu: 10864
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC3206, zamknięty w obudowie TO-92, jest bipolarnym tranzystorem NPN, przeznaczonym do zastosowań w niskich częstotliwościach. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 50V oraz prądem kolektora IC do 150mA. Jego zastosowanie znajduje w układach wzmacniaczy i przełączników. Dla osób poszukujących części elektronicznych, tranzystor ten oferuje stabilną pracę w szerokim zakresie temperatur.
ID produktu: 10865
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC3964, zamknięty w obudowie TO-126, charakteryzuje się bipolarnym typem działania z NPN konfiguracją. Przeznaczony głównie do zastosowań w układach wzmacniacza mocy, dysponuje maksymalnym napięciem kolektora VCEO na poziomie 800V. Warto zaznaczyć, że jego maksymalny prąd kolektora IC oscyluje w granicach 1.5A. W kontekście części elektronicznych, tranzystor ten znajduje szerokie zastosowanie, m.in. w zasilaczach impulsowych oraz w układach przetwornicowych, gdzie stabilność termiczna i efektywność przełączania odgrywają kluczową rolę.
ID produktu: 10866
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SC4106, tranzystor bipolarny NPN, charakteryzuje się obudową METAL (TO-220), zapewniającą efektywne odprowadzanie ciepła. Przeznaczony do zastosowań w układach wzmacniaczy mocy i przełączających, dysponuje maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 400V oraz prądem kolektora IC do 7A. Dostępność części elektronicznych ułatwia integrację w szerokim spektrum projektów.
ID produktu: 10867
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SC4111 to bipolarny tranzystor NPN o wysokiej mocy, przeznaczony do zastosowań w układach przetwarzania sygnału oraz w systemach wzmacniających. Charakteryzuje się niskim napięciem nasycenia i dużą prędkością przełączania. Wykorzystywany głównie w profesjonalnych częściach elektronicznych, nadaje się do zastosowań przemysłowych i audio. Parametry maksymalne: napięcie kolektor-emiter wynosi 50V, prąd kolektora do 2A.
ID produktu: 10868
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 10869
Stan magazynowy: w magazynie
Model 2SC4137, bipolarny tranzystor NPN, zamknięty w obudowie TO-126, charakteryzuje się zdolnością do pracy przy maksymalnym napięciu kolektora VCEO wynoszącym 160V oraz prądem kolektora IC do 1.5A. Znajduje zastosowanie w szerokim zakresie aplikacji, w tym w układach wzmacniaczy mocy i przetwornicach. Dla inżynierów i projektantów, poszukujących specyfikacji i części elektronicznych, 2SC4137 oferuje stabilne parametry w temperaturze pracy od -55°C do 150°C, co umożliwia jego wykorzystanie w różnorodnych warunkach środowiskowych.
ID produktu: 10870
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SC828, zaprojektowany w obudowie TO-92, jest bipolarnym tranzystorem NPN, który charakteryzuje się niskim poziomem szumów oraz wysoką czułością. Przeznaczony głównie do zastosowań w układach wzmacniacza audio o niskiej mocy, ten element półprzewodnikowy wykazuje maksymalne napięcie kolektora do emitera VCEO wynoszące 25V, a maksymalny prąd kolektora IC osiąga wartość 100mA. W zakresie części elektronicznych, 2SC828 jest często wybierany ze względu na swoją stabilność i niezawodność w aplikacjach niskoszumowych.
ID produktu: 10871
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor 2SD1402, bipolarny, NPN, przeznaczony do zastosowań w układach przełączających i wzmacniaczy mocy, charakteryzuje się napięciem kolektora-emitera VCEO wynoszącym 60V oraz prądem kolektora IC do 3A. Wysoka częstotliwość pracy i niska rezystancja nasycenia sprawiają, że jest on preferowanym wyborem w zaawansowanych częściach elektronicznych.