Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 9727
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUH1215 METAL, zaprojektowany w obudowie TO-3PN, charakteryzuje się wysoką mocą i napięciem pracy. Dedykowany dla aplikacji przemysłowych wymagających solidnej regulacji mocy, oferuje stabilność termiczną oraz efektywność w szerokim zakresie temperatur. Jego parametry pozwalają na zastosowanie w zaawansowanych układach zasilających, gdzie niezbędna jest niezawodność i długotrwała eksploatacja. Szczegółowe dane techniczne dostępne są na stronie części elektronicznych.
ID produktu: 11136
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUH515HI, wysokonapięciowy, przeznaczony do zastosowań w układach przetwarzania mocy, charakteryzuje się zdolnością do pracy przy napięciach do 1500V oraz prądzie kolektora do 8A. Dzięki zastosowaniu technologii High Voltage Integrated Circuit (HVIC) i planarnej techniki wykonania, zapewnia wysoką niezawodność i długą żywotność. W kontekście części elektronicznych, BUH515HI znajduje zastosowanie głównie w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz w systemach sterowania silnikami.
ID produktu: 11138
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUK453-600B METAL, w obudowie TO-220, to półprzewodnikowy element przełączający, zaprojektowany do zastosowań w układach o średniej mocy. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID do 7A. Dzięki zastosowaniu technologii MOSFET, urządzenie oferuje niską rezystancję kanału przy włączeniu, co przekłada się na efektywność energetyczną w aplikacjach przemysłowych. Znajdź więcej części elektronicznych odpowiednich do swoich projektów.
ID produktu: 11139
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUV37, wykonany w obudowie metalowej TO-247, charakteryzuje się zdolnością do pracy przy wysokich napięciach i prądach. Jego główną aplikacją są układy przełączające o dużej mocy. Parametry takie jak maksymalne napięcie kolektor-emiter VCEO, prąd kolektora IC oraz moc rozpraszana PTOT czynią go odpowiednim do zastosowań w przemysłowych układach sterowania i zasilania. Dostępność w częściach elektronicznych umożliwia integrację z różnorodnymi projektami elektronicznymi.
ID produktu: 8619
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUZ10, w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 50V oraz prądem drenu ID o wartości 33A. Urządzenie to, będące elementem kluczującym, znajduje szerokie zastosowanie w układach przetwarzania mocy. Dzięki swojej konstrukcji, tranzystor ten zapewnia efektywną komutację w obwodach elektronicznych. Wszystkie niezbędne części elektroniczne do budowy i naprawy urządzeń można znaleźć w specjalistycznych sklepach.
ID produktu: 11140
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUZ102S SMD, zaprojektowany w obudowie D2PAK, charakteryzuje się napięciem dren-źródło wynoszącym 55V oraz prądem drenu do 75A. Jego niska rezystancja w stanie przewodzenia, rzędu miliomów, minimalizuje straty mocy. Urządzenie to, będące kluczowym składnikiem części elektronicznych, znajduje zastosowanie w przekształtnikach mocy, sterowaniu silnikami oraz innych aplikacjach wymagających szybkiego przełączania.
ID produktu: 11141
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUZ110S, zaprojektowany w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 55V oraz prądem drenu ID do 30A. Jego niska rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on) minimalizuje straty mocy, co czyni go odpowiednim dla aplikacji o wysokiej wydajności. Dedykowany głównie do zastosowań w przekształtnikach mocy, sterowaniu silnikami oraz w innych częściach elektronicznych, gdzie niezbędna jest wysoka szybkość przełączania.
ID produktu: 11142
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUZ111S METAL, w obudowie TO-220, to komponent z kategorii części elektronicznych, charakteryzujący się napięciem pracy do 55V i prądem drenu Id=30A. Urządzenie to, oparte na technologii MOSFET, zapewnia wysoką szybkość przełączania, przy niskiej rezystancji kanału Rds(on) wynoszącej 0.045?, co jest istotne dla aplikacji o wysokiej wydajności.
ID produktu: 11143
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUZ11A, wykonany w technologii MOSFET, charakteryzuje się obudową TO-220. Urządzenie oferuje napięcie drenu do źródła VDS wynoszące 50V, prąd drenu ID do 30A oraz niską rezystancję kanału RDS(on). Idealnie nadaje się do aplikacji przełączających. Wszystkie niezbędne części elektroniczne znajdziesz na ImpelShop.
ID produktu: 11144
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor BUZ342, w obudowie TO-3PN, to element półprzewodnikowy N-MOSFET przeznaczony do zastosowań w układach o wysokiej mocy. Charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS maksymalnym na poziomie 500V oraz prądem drenu ID do 30A. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych, przekształtnikach oraz układach sterowania silnikami.