Jesteś tutaj: Strona główna » Tranzystory
ID produktu: 11147
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor IRLB4132 METAL, w obudowie TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS do 30V oraz prądem drenu ID do 140A. Zastosowanie technologii HEXFET® Power MOSFET pozwala na efektywną pracę w szerokim zakresie temperatur. Urządzenie to znajduje zastosowanie głównie w wysokoprądowych układach przełączających. Dostępność części elektronicznych pozwala na łatwą integrację z różnorodnymi projektami.
ID produktu: 11149
Stan magazynowy: w magazynie
IRLS540A, tranzystor typu MOSFET z kanałem N, charakteryzuje się niskim napięciem progowym, co umożliwia efektywne sterowanie przy niskich napięciach. Przy VDS = 100V, ID osiąga wartość do 28A, co wskazuje na wysoką przepustowość prądową. Zastosowanie technologii HEXFET® Power MOSFET zapewnia zredukowaną rezystancję w stanie przewodzenia, RDS(on), co przekłada się na zwiększoną efektywność energetyczną. Tranzystor ten znajduje szerokie zastosowanie w systemach zarządzania mocą, przekształtnikach oraz innych częściach elektronicznych wymagających efektywnej kontroli przebiegów prądowych.
ID produktu: 10898
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor MD1803DFX, bipolarny, NPN, wysokonapięciowy, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera wynoszącym 1500V oraz prądem kolektora do 4A. Znajduje zastosowanie w aplikacjach przemysłowych, wymagających komponentów o wysokiej niezawodności. Dostępny w obudowie TO-3PF. Więcej informacji o częściach elektronicznych na stronie.
ID produktu: 8679
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor MJ11015, zawarty w obudowie TO-3, charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera wynoszącym 120V oraz prądem kolektora o wartości do 30A. Jego głównym zastosowaniem są aplikacje w przemysłowych układach sterowania i zasilania. Dopełnieniem specyfikacji jest zintegrowana dioda ochronna. Dostępność części elektronicznych na rynku obejmuje szeroki wybór komponentów dla profesjonalistów.
ID produktu: 11151
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor MJ15022G, zaprojektowany w obudowie TO-3, charakteryzuje się zdolnością do pracy w wysokich temperaturach oraz wytrzymałością na duże obciążenia prądowe. Jego parametry pozwalają na zastosowanie w zaawansowanych aplikacjach audio oraz w systemach zasilających. Specyfika tego elementu sprawia, że znajduje on zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, od wzmocnień sygnałów po przetwarzanie mocy.
ID produktu: 11152
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor MJL3281A, zaprojektowany w obudowie TO-264, jest elementem półprzewodnikowym NPN o wysokiej mocy. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera VCEO równym 230V oraz prądem kolektora IC do 15A. Jego aplikacje obejmują głównie wzmacniacze audio o wysokiej jakości oraz inne części elektroniczne wymagające stabilnej pracy przy dużych obciążeniach.
ID produktu: 11153
Stan magazynowy: w magazynie
Para tranzystorów MN2488 oraz MP1620, zaprojektowana do zastosowań w układach wzmacniaczy mocy audio, charakteryzuje się obudową TO-3PN. Zestaw ten, zintegrowany w celu zapewnienia komplementarnej pracy PNP-NPN, umożliwia efektywne sterowanie przepływem prądu. Dedykowane dla zaawansowanych aplikacji, te części elektroniczne wykazują wysoką wydajność przy jednoczesnym zachowaniu stabilności termicznej. Parametry elektryczne obu komponentów są precyzyjnie dopasowane, co przekłada się na ich niezawodność w wymagających systemach audio.
ID produktu: 11155
Stan magazynowy: w magazynie
ID produktu: 10906
Stan magazynowy: w magazynie
Tranzystor ST2310DHI, wykonany w obudowie PLASTIC TO-3PF, charakteryzuje się zdolnością do pracy w szerokim zakresie temperatur. Jego główną funkcją jest przełączanie i wzmacnianie sygnałów w zaawansowanych układach elektronicznych. Zastosowanie znajduje przede wszystkim w przemyśle mocy i sterowania. Dzięki precyzyjnej konstrukcji, tranzystor ten zapewnia wysoką efektywność i niezawodność w aplikacjach wymagających stabilnej pracy. Więcej informacji o częściach elektronicznych dostępnych jest online.
ID produktu: 11185
Stan magazynowy: w magazynie
Model ZOO607MA, tranzystor MOSFET typu N, charakteryzuje się napięciem przebicia VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenażu ID równym 7A. Urządzenie to posiada niską rezystancję kanału RDS(on), co przekłada się na efektywność w aplikacjach przełączających. Tranzystor ten jest często wykorzystywany w układach zasilania, inwerterach oraz przetwornicach. Zastosowanie nowoczesnej technologii produkcji pozwala na osiągnięcie wysokiej niezawodności i trwałości. Więcej informacji o częściach elektronicznych znajduje się na stronie dostawcy.